近日，蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產(chǎn)交付。 本次考核由第三方權威檢測機構——廣電計量進行。

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蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域對功率器件的高質量和車規(guī)級可靠性要求。

現(xiàn)階段行業(yè)中，AEC-Q101只是車規(guī)的門檻，如何保證交給客戶的每一個批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個標準的才是考驗。蓉矽半導體正在用DFR設計理念，全供應鏈管理體系，完整的質量管理體系向客戶提供高質量、高可靠性SiC功率器件。

部分考核項目及測試條件：



蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續(xù)電流達75A。

產(chǎn)品特點如下：

采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內的電流能力；

采用多晶硅網(wǎng)絡優(yōu)化技術，充分降低柵極內阻，提高器件在開關過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關損耗；

采用結終端優(yōu)化技術，降低器件在結終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；

VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；

在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國內廠商產(chǎn)品；所對比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅動電壓采用各廠商推薦值，測試結果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對比結果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。

蓉矽SiC MOSFET應用于新能源汽車OBC和直流充電樁模塊時，可有效減少器件數(shù)量、簡化系統(tǒng)、降低損耗、提高效率，推動提高充電速度、實現(xiàn)續(xù)航突破。

01新能源汽車應用

02直流充電樁模塊應用

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審核編輯：劉清