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標簽 > 多晶硅
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
利用價值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
利用價值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金屬光澤,密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間,室溫下質(zhì)脆,切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性,1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑,高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下,具有較大的化學活潑性,能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導體材料,但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化,再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面,遠不如單晶硅明顯;在電學性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導體器件的電子信息基礎材料。
硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析
硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術的廣泛應用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結(jié)果...
控制多晶硅(poly-Si)/4H-SiC異質(zhì)結(jié)二極管能壘高度(ΦB)的方法立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2024-04-23 標簽:多晶硅電流二極管
? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi),硅芯起著至關重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,硅芯的表面會逐漸被新沉積的硅層所覆蓋,形成多晶硅晶體,它主要作為沉積硅...
多晶硅生產(chǎn)污水處理設備數(shù)據(jù)采集方案
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2024-09-02 標簽:多晶硅數(shù)據(jù)采集 149 0
光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強勁增長,引領全球綠色能源轉(zhuǎn)型
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4月6日,繼央視《新聞聯(lián)播》全國兩會高頻報道天合光能之后,時隔一月再度關注天合光能青?;厣a(chǎn)700W+超大功率光伏組件,并與當?shù)厣舷掠纹髽I(yè)實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。
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蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考...
國內(nèi)首顆車載LCD顯示屏電源管理芯片EPA9900量產(chǎn)
數(shù)智時代,在汽車產(chǎn)業(yè)電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢推動下,車載顯示正朝著多屏、大尺寸、高清方向蓬勃發(fā)展,帶動車規(guī)級顯示屏電源管理芯片(PMIC)需求不斷上漲。
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2023-12-29 標簽:多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 719 0
太陽能電池特性? 太陽能電池是一種利用光能直接轉(zhuǎn)化成電能的裝置。它是目前可再生能源領域最常見也是最常用的裝置之一。太陽能電池具有很多特性,下面將詳細介紹...
國內(nèi)第一片300mm射頻(RF)SOI晶圓的關鍵技術
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