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同步DRAM(SDRAM)介紹

數(shù)字芯片實驗室 ? 來源:數(shù)字芯片實驗室 ? 2024-07-29 09:55 ? 次閱讀

DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號直接影響內(nèi)部功能。

同步DRAMSDRAM)設(shè)備比DRAM設(shè)備有顯著的改進。在兩個方面與前幾代DRAM設(shè)備不同:

1.增加了時鐘信號;因此,SDRAM具有同步接口,也就是說是命令而不是信號在控制存儲單元。?

2.SDRAM包含多個獨立bank。

3.SDRAM支持burst突發(fā)模式傳輸。

SDRAM有一個時鐘信號,所有內(nèi)部動作都發(fā)生在其邊沿。

在DRAM中,來自內(nèi)存控制器的RAS、CAS和WE信號直接控制內(nèi)部latch和輸入/輸出buffer,這些信號可以隨時到達DRAM的引腳。然后,DRAM立即響應(yīng)RAS、CAS和WE信號。

相反,在SDRAM中,RAS、CAS和WE信號不能直接控制內(nèi)部latch 和buffer。在SDRAM中,這些信號形成一個命令總線,用于將命令傳輸?shù)絻?nèi)部狀態(tài)機,該狀態(tài)機在時鐘信號的邊沿執(zhí)行命令。通過這種方式,內(nèi)部latch和輸入/輸出buffer的控制從外部內(nèi)存控制器移動到SDRAM控制邏輯中的狀態(tài)機。

每個SDRAM中存在多個獨立bank,這意味著當(dāng)一個bank忙于行激活命令或預(yù)充電命令時,內(nèi)存控制器可以向不同的bank發(fā)送新命令。現(xiàn)在可以在單個SDRAM中將內(nèi)存請求交錯到不同的bank。SDRAM包含2、4或8個獨立bank。BA0、BA1和BA2決定了命令指的是哪個bank。

功能描述

下圖顯示了具有兩個獨立bank的SDRAM的簡化框圖。

adcec8fc-4bea-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

每個bank都有其行地址latch和解碼器、列解碼器和靈敏放大器。圖中SDRAM中的每個bank由8個大小為4096x1024位的DRAM陣列組成。該地址現(xiàn)在由bank號碼(BA)、行地址(A[11:0])和列地址(A[9:0])組成。

在SDRAM中,命令在時鐘信號(CLK)的上升邊沿解碼,如果芯片選擇信號(CS)處于有效狀態(tài)。該命令由外部內(nèi)存控制器在命令總線上發(fā)起。命令總線由WE、CAS和RAS信號組成。所有這些信號都是低有效。

下表顯示了SDRAM的命令集合。只要CS不處于有效狀態(tài),SDRAM就會忽略命令總線上的信號。

adece792-4bea-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

圖中框出來的SDRAM控制模塊由控制邏輯、選擇行地址的多路復(fù)用器、刷新計數(shù)器和存儲體控制邏輯組成。其中刷新計數(shù)器跟蹤要刷新的行,多路復(fù)用器用于選擇要傳送到行地址鎖存器和解碼器的行地址。地址可以是來自刷新計數(shù)器的地址(用來控制邏輯執(zhí)行刷新周期),也可以是來自DRAM控制器的外部地址總線上的地址。

控制邏輯包含命令解碼器、執(zhí)行命令的有限狀態(tài)機和模式寄存器。模式寄存器是一個可編程的10位寄存器,其決定:

·CAS延遲(CL)

·burst傳輸?shù)拈L度

·以及內(nèi)存數(shù)據(jù)在burst傳輸中的順序。等等

控制邏輯從命令總線接收命令,然后根據(jù)命令類型和模式寄存器相應(yīng)字段中的值執(zhí)行特定的操作序列。這些操作由內(nèi)部狀態(tài)機在連續(xù)的時鐘周期上執(zhí)行,而不需要來自memory控制器的時鐘控制。

ae09bd4a-4bea-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

上圖顯示了內(nèi)部狀態(tài)機的簡化狀態(tài)圖。在初始化模式寄存器后,內(nèi)部狀態(tài)機處于idle狀態(tài),所有行和列均預(yù)充電。如果沒有向SDRAM發(fā)出命令,SDRAM芯片將定期執(zhí)行自刷新操作。內(nèi)部計數(shù)器驅(qū)動自刷新操作。

開始內(nèi)存訪問時,內(nèi)存控制器應(yīng)首先發(fā)出ACTIVE命令。這將打開某些bank/行,內(nèi)部狀態(tài)機在active狀態(tài)下等待其他命令。

要讀取數(shù)據(jù),內(nèi)存控制器應(yīng)發(fā)出READ命令,要將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存,內(nèi)存控制器應(yīng)發(fā)出WRITE命令。然后內(nèi)部狀態(tài)機進入讀或?qū)憼顟B(tài),并使用列地址生成適當(dāng)?shù)膬?nèi)部信號來訪問列。

READ或WRITE命令后面可以跟任意數(shù)量的READ或WRITE命令,或者可以發(fā)出PRECHARGE命令來恢復(fù)數(shù)據(jù)并關(guān)閉打開的bank/行。

在執(zhí)行預(yù)充電操作后,內(nèi)部狀態(tài)機將恢復(fù)到IDLE狀態(tài)。

例如,在 ACTIVE 命令的情況下,狀態(tài)機通過多路復(fù)用器將行地址傳遞到行地址鎖存器和譯碼器。地址位BA確定要訪問的行,然后打開選定的行,并將其內(nèi)容傳輸?shù)届`敏放大器。

當(dāng)存儲器控制器發(fā)起讀取命令時,內(nèi)部狀態(tài)機驅(qū)動行控制邏輯,根據(jù) BA 位選擇適當(dāng)?shù)牧?,然后從所選行的靈敏放大器中選擇數(shù)據(jù)。

每個bank都有自己的列解碼器-當(dāng)從更多bank進行交錯傳輸時,就特別有用,可以隱藏RAS到CAS延遲和行預(yù)充電時間。當(dāng)?shù)谝淮伟l(fā)送指定新bank的地址時,必須打開該行。 但是當(dāng)后續(xù)的訪問指定已經(jīng)打開的bank中的同一行時,訪問可以很快發(fā)生,只發(fā)送列地址,而無需等待 tRCD。此功能要求每個bank都有自己的行地址鎖存器、靈敏放大器和列解碼器。

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原文標(biāo)題:同步DRAM(SDRAM)介紹

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