晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片),石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。在其封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
晶振的工作原理
石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片,在它的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個電極上各焊一根引線接到管腳上,再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器。若在石英晶體的兩個電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之,若在晶片的兩側(cè)施加機械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。
如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會產(chǎn)生機械振動,同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時,振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。
當(dāng)晶體不振動時,可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C,它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān),一般約幾個皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時,機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效,C的值很小,一般只有0.0002~0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效,它的數(shù)值約為100歐。
晶體諧振器,是由石英晶體片或陶瓷晶體片經(jīng)過加工并鍍上電極而做成的。石英晶體或陶瓷晶體片有一個特殊的特性——壓電效應(yīng),就是當(dāng)我們在晶體上施加電壓時,晶體中的晶格在電場力的作用下內(nèi)部會出現(xiàn)較強的內(nèi)應(yīng)力而發(fā)生變形,晶體在電場的作用下,其內(nèi)應(yīng)力和形變都會發(fā)生變化,產(chǎn)生機械振動。當(dāng)電場消失后,晶體的變形也會隨之消失。當(dāng)我們給晶振通入一個穩(wěn)定的交變信號,晶振就會產(chǎn)生穩(wěn)定的機械振動,下圖所示為晶振的符號和等效電路。
晶振兩端施加的交變信號頻率等于晶振諧振頻率時,晶振的電抗為0呈現(xiàn)電阻特性。諧振頻率也是晶振等效電路中C1,L1,R1串聯(lián)支路的諧振頻率,故也稱串聯(lián)諧振頻率。
晶振的反諧振頻率指的是整個等效電路的諧振頻率也稱并聯(lián)諧振頻率。當(dāng)輸入信號的頻率接近并聯(lián)諧振頻率時,晶振的電抗趨于無窮大。
從Fa到 Fs之間的區(qū)域就是通常所謂的“并聯(lián)諧振區(qū)”也是晶振正常工作的區(qū)域了。在此區(qū)域晶振呈電感特性,從而帶來了相當(dāng)于180 °的相移。
那么在實際電路設(shè)計中,誰來提供穩(wěn)定的交變信號呢?就是單片機(芯片)了。具體的參考電路如下圖所示。通常皮爾斯振蕩電路的晶振振蕩電路,其實就是由單片機內(nèi)部的反相器和反饋電阻,與外部的兩個電容組成。有了芯片提供突變信號晶振就可以產(chǎn)生頻率穩(wěn)定的振蕩信號了。
晶振的分類
一般晶振分為兩種:有源晶振、無源晶振。有源晶振也叫晶體振蕩器,Oscillator。無源晶振有時也叫無源晶體,Crystal,晶體諧振器。簡單來說,有源晶振自己供上電就能輸出振蕩信號;無源晶體必須額外增加電路才能振蕩起來。
晶振如何選型?
一般情況下,我們需要根據(jù)自己的應(yīng)用,選擇晶振的類型,比如是有源的還是無源的。如果是無源的話,需要關(guān)注下面這些參數(shù):
1)標(biāo)稱頻率:在晶振的外殼上可以找頻率,不同晶振對應(yīng)不同的頻率,選擇多大頻率的晶振,取決于系統(tǒng)的要求。
2)精度:指的是晶振的頻率相對于標(biāo)稱值的最大允許偏差,一般用ppm來表示,即百萬分之一,值越小精度越高。
3)ESR 等效串聯(lián)電阻:晶振的內(nèi)阻,和晶振的功耗有關(guān)系,如果ESR太高,功耗會增加,甚至無法起振。如果ESR越小,成本也會有所增加,因此可以根據(jù)實際情況進(jìn)行選擇。
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