由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美（onsemi）憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)、功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)，一起細(xì)數(shù)安森美領(lǐng)先的功率器件產(chǎn)品。

端到端垂直整合，提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力安森美在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是目前為數(shù)不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供應(yīng)商，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案，并積極加速對(duì)SiC襯底和外延進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，包括近期在美國哈德遜、捷克Rozov、韓國富川等工廠的擴(kuò)建，將使產(chǎn)能提高，致力為客戶提供關(guān)鍵的供應(yīng)保證。同時(shí)，安森美也在積極推進(jìn)從6英寸工藝提升到8英寸工藝。

安森美通過垂直整合從原材料粉末到成品封裝功率器件的供應(yīng)鏈，來確保高可靠性，這種高度可擴(kuò)展的端到端生產(chǎn)方式使安森美能夠控制供應(yīng)鏈的相關(guān)環(huán)節(jié)，從而根據(jù)市場(chǎng)需求去彈性地調(diào)節(jié)產(chǎn)能，優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。

在收購Fairchild半導(dǎo)體后，安森美的產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步優(yōu)化，覆蓋高、中、低全功率范圍。收購在SiC晶體生長方面有豐富經(jīng)驗(yàn)的GTAdvanced Technologies(以下簡稱“GTAT”)后，安森美強(qiáng)化了在SiC領(lǐng)域的實(shí)力。

細(xì)數(shù)安森美重磅功率產(chǎn)品

安森美的產(chǎn)品線十分豐富，可以覆蓋大部分新能源應(yīng)用中的主動(dòng)器件物料單(Bom)，尤其是大功率的功率器件。

EliteSiCM3e MOSFET

安森美已經(jīng)推出了三代SiCMOSFET產(chǎn)品，最新一代EliteSiCM3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%，導(dǎo)通損耗降低30%，顯著提升高耗電應(yīng)用的能效，推進(jìn)電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲(chǔ)能、人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的發(fā)展，助力全球電氣化轉(zhuǎn)型。安森美計(jì)劃在2030年前加速推出多款新一代SiC產(chǎn)品。

采用F5BP封裝的最新一代硅和SiC混合功率集成模塊(PIM)

安森美采用F5BP封裝的最新一代硅和SiC混合功率集成模塊(PIM)，在減少尺寸的同時(shí)，將輸出功率提高了15%，助力太陽能發(fā)電和儲(chǔ)能的發(fā)展。F5BP-PIM集成了1050VFS7 IGBT和1200VD3 EliteSiC二極管，實(shí)現(xiàn)高電壓和大電流轉(zhuǎn)換的同時(shí)降低功耗并提高可靠性。

FS7IGBT 關(guān)斷損耗低，可將開關(guān)損耗降低達(dá)8%，而EliteSiC二極管則提供了卓越的開關(guān)性能，與前幾代產(chǎn)品相比，導(dǎo)通壓降（VF）降低了15%。這些PIM包含了一種創(chuàng)新的I型中點(diǎn)箝位（INPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器模塊和飛跨電容拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的升壓模塊。

這些模塊還使用了優(yōu)化的電氣布局和先進(jìn)的直接銅鍵合（DBC）基板，以降低雜散電感和熱阻。此外，銅基板進(jìn)一步將結(jié)到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保模塊在重載下保持冷卻。

第7代1200VQDual3IGBT功率模塊

安森美最新的第7代1200VQDual3IGBT功率模塊，在相同的外形尺寸和熱閾值下，QDual3模塊能比同類產(chǎn)品提供高出10%的功率，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。與傳統(tǒng)的600A模塊解決方案相比，800A的QDual3模塊顯著減少了所需模塊的數(shù)量，極大地簡化了設(shè)計(jì)復(fù)雜度并降低了系統(tǒng)成本。

QDual3IGBT 模塊采用800 A半橋配置，集成了新的第7代溝槽場(chǎng)截止IGBT和二極管技術(shù)，采用安森美的先進(jìn)封裝技術(shù)，從而降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。得益于FS7技術(shù)，裸片尺寸縮小了30%，每個(gè)模塊可以容納更多的裸片，從而提高了功率密度，最大電流容量達(dá)到800 A或更高。

該800 AQDual3 模塊的IGBTVce(sat) 低至1.75V（175℃），Eoff較低，能量損耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模塊還滿足汽車應(yīng)用所要求的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

T10PowerTrench系列和EliteSiC650V MOSFET

安森美最新一代T10PowerTrench系列和EliteSiC650V MOSFET的強(qiáng)大組合為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供了一種完整解決方案，可實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)能，功耗降低達(dá)10太瓦。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實(shí)施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時(shí)的能源消耗，相當(dāng)于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。該組合解決方案還符合超大規(guī)模運(yùn)營商所需的嚴(yán)格的開放式機(jī)架V3(ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

EliteSiC650V MOSFET提供了卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。與上一代SICMOS產(chǎn)品相比，安森美最新一代的SICMOSFET可以將Qg減半，并且可以將存儲(chǔ)于輸出電容上的能量EOSS與電荷量QOSS減小44%。

與超級(jí)結(jié)(SJ)MOSFET相比，它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

T10PowerTrench系列專為處理對(duì)DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要的大電流而設(shè)計(jì)，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，該設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和小于1毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。此外，軟恢復(fù)體二極管和較低的Qrr有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10PowerTrench 系列還符合汽車應(yīng)用所需的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

完善的生態(tài)系統(tǒng)

此外，安森美提供完善的生態(tài)系統(tǒng)支持，包括各種封裝的SiC器件和相關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器、評(píng)估板/套件、參考設(shè)計(jì)、選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、SPICE模型和仿真工具等全面的設(shè)計(jì)支持，以助設(shè)計(jì)人員加快和簡化設(shè)計(jì)。

安森美也和寶馬集團(tuán)、大眾汽車、現(xiàn)代-起亞、寶馬、極氪、緯湃科技、匯川聯(lián)合動(dòng)力、上能電氣、古瑞瓦特等多家行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作，通過高效的溝通合作加快創(chuàng)新。