納微半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,一年一度的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開(kāi)。納微....
納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和30....
納微半導(dǎo)體邀您相約CES 2025
近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)....
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不....
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納....
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案
加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化....
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率....
CNBC對(duì)話納微CEO,探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展
近日,納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANG....
納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列
? 具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運(yùn)行和快速開(kāi)關(guān),為AI....
GaNSense?半橋IC可提高效率并降低成本,賦能電機(jī)集成逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力 ,因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn),以確保盡可能高效地使用電力,同....
納微GeneSiC碳化硅器件在電動(dòng)長(zhǎng)途卡車的應(yīng)用詳解
4月10日,在武漢舉辦的2024年世界碳化硅大會(huì)獲得圓滿成功,在大會(huì)上,諸多碳化硅產(chǎn)業(yè)的專業(yè)人員分享....
納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024
加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體....
納微半導(dǎo)體CEO入圍安永大洛杉磯地區(qū)2024年度企業(yè)家的最終評(píng)選
安永會(huì)計(jì)師事務(wù)所今日宣布,納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene ....
功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)達(dá)73%
1 得益于移動(dòng)快充、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)氮化鎵的持續(xù)采用,以及碳化硅在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長(zhǎng)....
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時(shí)讓印度農(nóng)民....
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力
納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
第四季度收入達(dá)2,610萬(wàn)美元,同比增長(zhǎng)111%,環(huán)比增長(zhǎng)19%
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率....
納微半導(dǎo)體三斬功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)
2023年12月23日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大開(kāi)幕!上百家電源....
納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
12月13-14日,由行家說(shuō)三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于深圳國(guó)際....
納微半導(dǎo)體全速助力蔚來(lái)手機(jī),GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯(lián)用戶體驗(yàn)
為支撐如此強(qiáng)大且齊全的功能,蔚來(lái)給這款手機(jī)配備了一顆5,200mAh的大容量電池,隨手機(jī)標(biāo)配的GaN....
熱學(xué)篇:芯片的不同封裝在水冷系統(tǒng)不同散熱方案下的熱表現(xiàn)
因此Rj-coolant實(shí)際上是半導(dǎo)體器件在特定散熱系統(tǒng)中的系統(tǒng)熱阻。如果參照電路系統(tǒng)對(duì)系統(tǒng)的散熱過(guò)....
納微半導(dǎo)體公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
根據(jù)美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則(GAAP),受庫(kù)存調(diào)整影響,2023年第三季度毛利率為32.3%, 2022年....
功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)召開(kāi)電話會(huì)議
? ?納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后,公布....
納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23,下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加....
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23,下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式
電網(wǎng)通過(guò)輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國(guó),由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)有限,利用電....
納微第四代氮化鎵器件樹(shù)立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹(shù)立新標(biāo)桿
納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破
下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場(chǎng)設(shè)定新標(biāo)桿