RCD吸收電路它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成。電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。RCD吸收電路對過電壓的抑制要好于RC吸收電路，與RC電路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收電阻，在一定程度上降低了損耗。

rcd吸收電路原理

若開關(guān)斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關(guān)的寄生電容充電，開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí)，吸收二極管導(dǎo)通，開關(guān)電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關(guān)接通期間，吸收電容通過電阻放電。

rcd吸收電路的參數(shù)設(shè)計(jì)

一﹑首先對mos管的VD進(jìn)行分段：

Ⅰ，輸入的直流電壓VDC；

Ⅱ，次級反射初級的VOR；

Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

Ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。

二﹑對于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算：

Ⅰ，輸入的直流電壓VDC。在計(jì)算VDC時(shí)，是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。VDC=VAC *√2

Ⅱ，次級反射初級的VOR。VOR是依在次級輸出最高電壓，整流二極管壓降最大時(shí)計(jì)算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計(jì)算），二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．VOR=（VF　+Vo）*Np/Ns

Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V．VDS=VD* 10%

Ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD減去Ⅰ，Ⅲ三項(xiàng)就剩下VRCD的最大值。實(shí)際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開關(guān)電源各個(gè)元件的分散性，溫度漂移和時(shí)間飄移等因素得影響）。

VRCD=（VD-VDC -VDS）*90%

注意：

① VRCD是計(jì)算出理論值，再通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行調(diào)整，使得實(shí)際值與理論值相吻合．

② VRCD必須大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）

③ MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍．（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過大了）

④ 如果VRCD的實(shí)測值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。

⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的Ⅴ，RC時(shí)間常數(shù)τ確定．τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個(gè)開關(guān)電源周期。

三﹑試驗(yàn)調(diào)整VRCD值

首先假設(shè)一個(gè)RC參數(shù)，R=100K/RJ15， C=“10nF/1KV”。再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計(jì)算值。 如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計(jì)算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值減小后，重復(fù)以上試驗(yàn)。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“+”極的RC一 點(diǎn)上，測試點(diǎn)接到RC另一點(diǎn)上）

一個(gè)合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓，最重的電源負(fù)載下，VRCD的試驗(yàn)值等于理論計(jì)算值。

波形對比

未加RCD吸收電路滿載波形

加完RCD滿載的波形

未加RCD吸收電路空載波形

加完RCD空載波形

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