式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
1844 
、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。 新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術實現(xiàn)卓越的品質因數(shù)。在柵源電壓 (VGS
2022-06-24 09:57:451546 
日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設備和車載領域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉換器。
2012-08-08 09:18:231140 在本文中，我們將討論一些設計技術，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內可處理多少功率的度量，基于轉換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關的指標，
2022-12-26 09:30:522114 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
（BOM）中的組件更少，同時還能提供具有高可靠性的高密度解決方案，但可提供的功率相對有限。諸如網(wǎng)絡路由器、交換機、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以
2019-07-31 04:45:11
`Nexperia 200V超快恢復整流器擁有高功率密度，同時最大限度地減少了反向恢復時間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復整流器，采用高效平面技術，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標準的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴格標準。這些Nexperia汽車器件設計用于比家用和便攜式應用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費類應用?！?具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應用
2022-10-28 16:18:03
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
面型MOSFET的RDS(ON)組成部分主要的不同在于出現(xiàn)JFET部分，溝漕型由于沒有JFET效應，可以得到更高密度的縮減，實現(xiàn)低的RDS(ON)。溝漕MOSFET的RDS(ON)由于下面幾個部分
2016-10-10 10:58:30
的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件變革的新型應用。還將探討實現(xiàn)當前汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的一些發(fā)展狀況。這些發(fā)展將有助于促進汽車電子行業(yè)前進
2008-08-01 15:32:09
) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機的可再生制動的功能安全測試。該參考設計實現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內實現(xiàn)最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導體領先供應商，還是管理方案領先供應商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術,40V
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
概述OC5820 是一款內置功率 MOSFET 的單片降壓型開關模式轉換器。OC5820 在6-40V 寬輸入電源范圍內實現(xiàn) 2.5 A 峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉換器設計方向前進，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 時僅 0.15Ω ，在 4.5V 時僅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 也不含鹵素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
概述SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護
2022-06-10 15:16:08
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
應用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機會能夠把所用的空間再減少一點，以及提高功率密度。實現(xiàn)這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業(yè)機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進和優(yōu)化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設計？這個問題是很多生產商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領域占據(jù)著主導地位。所以，下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
650V SiC MOSFET 的功率損耗低，可以在雙向高功率轉換應用（例如 EV 的 OBC）中實現(xiàn)高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
的BLDC電機時，功率密度就是游戲的代名詞。TI新的功率模塊解決方案可在前所未有的水平上實現(xiàn)這一目標。其他信息有關這些新功率模塊的更多信息，請查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
NTMFS5C430NLT1G是一款 單 N溝道 功率 MOSFET，40V，1.4 mΩ，200A。特性：?低RDS（開啟）?將傳導損耗降至最低?低輸入電容?最大限度地減少開關損耗?最高結溫為
2021-12-29 13:44:23
和輸出過壓閉鎖功能。應用汽車和工業(yè)電源通用升壓特點Silent Switcher? 架構超低EMI輻射可選展頻集成40V、2.5A功率開關寬輸入/輸出電壓范圍：2.7V至40V低VIN引腳靜態(tài)電流：0.3
2020-08-28 10:06:36
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
MOSFET的導通電阻以及測量的條件，如AON6590，VDS=40V，分別列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下圖所示。測量的條件：ID = 20A。導通電阻的溫度系數(shù)用歸一化的圖表
2016-09-26 15:28:01
%和39%。改善導通電阻與柵極電荷乘積（優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM），不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉換器實現(xiàn)更高的功率密度和更高的開關頻率。為驗證從TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
`描述此降壓同步直流/直流解決方案從 40V/42V 輸入提供 5V 輸出 (@20A)，可實現(xiàn)最大效率。特性帶有集成同步柵極驅動器的 TPS40170 控制 IC低柵極電荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優(yōu)化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態(tài)開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2019-08-01 08:16:08
硅芯片如何助力汽車制動系統(tǒng)實現(xiàn)更高安全性？Cortex-R4的優(yōu)勢是什么？
2021-05-11 06:59:51
達100A的電流處理能力等特性，使該系列產品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產品用于要求高效率和高功率密度的功率轉換和電源管理系統(tǒng)，應用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
進一步減小，甚至消除。 結論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設計工程師設計出更高功率密度的產品。開關性能的優(yōu)化可使許多應用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠程射頻單元 (RRU) 應用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗(以減輕機箱冷卻方面的負擔)、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性
2011-04-06 10:57:141267 
提出一種新型正激隔離式高功率密度逆變器，該變換器前級為正激變換器，只是副邊二極管換成了開關管使其具備能量雙向傳遞的功能。分析了它的工作原理，給出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:43
71 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 麥瑞半導體公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流應用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降壓穩(wěn)壓器產品。
2012-02-03 09:09:12894 工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗（以減輕機箱冷卻方面的負擔）、高功率密度（以減小空間要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:571850 
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:01511 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 的散熱
通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
(MOSFET)，因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783 
功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅動系統(tǒng)以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213713 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術創(chuàng)新、電路設計技術優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59649 
基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
談及驅動效率更高的解決方案，汽車動力總成應用顯然是主要焦點之一。功率密度、熱性能和空間一直都是需要改進的關鍵領域。適用于在30~300 W范圍內對熱設計有要求的系統(tǒng)（包括水、油和燃油泵），Nexperia新推出的LFPAK33封裝40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的選擇。
2023-02-09 09:53:08459 
40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-03-13 19:19:530 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:240 電力電子產品設計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設計
2023-11-23 09:08:35284 
應用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5378 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強
2024-03-07 16:03:04225
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