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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>FRAM具有高速讀寫、高讀寫耐久性和低功耗等優(yōu)勢(shì)

FRAM具有高速讀寫、高讀寫耐久性和低功耗等優(yōu)勢(shì)

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2020-10-09 14:27:35

FRAM具有無(wú)限的續(xù)航能力和即時(shí)寫入能力

2020-08-12 17:41:09

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M24LR EEPROM寫周期耐久性不可靠

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PIC16f1xxx耐久性閃存問題

寫或讀耐久性閃存(在這種情況下,我讀/寫從0x7f0到0x7FF)。我正在使用最新版本的代碼配置器生成的讀/寫函數(shù)。這聽起來像是我遺漏的“常見”功能嗎?謝謝,塞爾吉奧
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SD卡的傳輸協(xié)議和讀寫程序原理 pdf

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Si522A超低功耗【 13.56MHz 】非接觸式讀寫器芯片

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關(guān)于FRAM替代EEPROM的芯片測(cè)試方案

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單片機(jī)讀寫U盤例程源代碼

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嗨,哪里可以獲得有關(guān)X射線輻射損傷的設(shè)備耐久性和X射線輻射損傷的KRads總劑量閾值的信息,我需要在這些設(shè)備上具有高度重要的信息:1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
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基于FRAM的MCU在低功耗的應(yīng)用

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2017-09-04 14:46:3010691

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229446

FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014463

MSP430 FRAM業(yè)界最低功耗的MCU

MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:009499

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

FRAM RFID“秒殺”傳統(tǒng)EEPROM方案,除了讀寫快還有啥亮點(diǎn)?

關(guān)鍵詞:RFID , FRAM , EEPROM , 非易失性存儲(chǔ)器 在RFID中嵌入FRAM,打破傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽的一系列限制 開車的朋友可能會(huì)有這樣的經(jīng)歷,當(dāng)經(jīng)過高速公里收費(fèi)站時(shí),交通收費(fèi)卡在
2019-03-09 12:55:01496

富士通FRAM存儲(chǔ)器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體利用FRAM高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長(zhǎng), 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗(yàn)證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無(wú)限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03751

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM高速讀寫,高讀寫耐久性低功耗,防篡改等方面具有
2020-09-27 14:32:311634

簡(jiǎn)單說明如何計(jì)算產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的FRAM耐久性

具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性低功耗性能。本篇文章主要介紹關(guān)于FRAM耐久性。 SRAM具有無(wú)限的耐久性,可以無(wú)限地對(duì)其進(jìn)行讀寫。FRAM具有高(數(shù)量),將應(yīng)用程序限制為讀取或?qū)懭雴蝹€(gè)字節(jié)不超過指定的周期數(shù)。緩解的最佳方法是通過設(shè)計(jì)知道
2020-10-19 14:22:59626

如何增強(qiáng)UV膠水粘接的耐久性,具體有什么方法

UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項(xiàng)性能中相當(dāng)重要的一項(xiàng),而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術(shù)面臨的重要任務(wù),也是結(jié)構(gòu)連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產(chǎn)廠家,在UV膠水領(lǐng)域已有
2020-12-23 15:10:572341

關(guān)于0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455

FRAM技術(shù)和工作原理

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”,FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì):高讀寫耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲(chǔ)單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù),而無(wú)需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02823

什么是FRAM,它的優(yōu)勢(shì)都有哪些

FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)
2021-05-04 10:17:001850

關(guān)于FRAM在新能源汽車技術(shù)中的應(yīng)用分析

監(jiān)控,記錄和分析處理。因此需要提高存儲(chǔ)器性能和耐久性設(shè)計(jì)。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級(jí)的存儲(chǔ)器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無(wú)遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性,高速寫入操作: ?系統(tǒng)每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00376

FRAM在自動(dòng)駕駛技術(shù)中的應(yīng)用是怎樣的

存儲(chǔ)器的性能和耐久性設(shè)計(jì),這些要求使FRAM成為理想的存儲(chǔ)選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應(yīng)用 高速燒寫,高讀寫耐久性: 系統(tǒng)經(jīng)常會(huì)會(huì)受到發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)閉,導(dǎo)航,倒車攝像或電話進(jìn)入時(shí)的干擾,高端的car infotainment需要實(shí)時(shí)記錄當(dāng)前狀態(tài),并在干擾之后回復(fù)當(dāng)前
2021-05-04 10:15:00289

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領(lǐng)域之中

與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544

超高頻點(diǎn)亮LED讀寫器可實(shí)現(xiàn)對(duì)電子標(biāo)簽的快速讀寫處理

2882lite是一款高性能的UHF超高頻電子標(biāo)簽讀寫器,完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì),結(jié)合專有的高效信號(hào)處理算法,在保持高識(shí)讀率的同時(shí),實(shí)現(xiàn)對(duì)電子標(biāo)簽的快速讀寫處理,可廣泛應(yīng)用于物流、門禁系統(tǒng)、防偽系統(tǒng)
2021-04-29 17:22:06435

FRAM性能比EEPROM好的三個(gè)優(yōu)勢(shì)是什么

仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。FRAM耐久性讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢(shì): 1、壽命,讀寫的次數(shù)比較多, EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM讀寫更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸

的數(shù)據(jù)傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運(yùn)行和非易失性的特點(diǎn),非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的工業(yè)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持樣品測(cè)試及技術(shù)支持。 富士通半導(dǎo)體20多年來量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗
2021-07-27 10:36:091055

富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬(wàn)億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn),富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片,這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579

STT-MRAM存儲(chǔ)器具備無(wú)限耐久性

仍讓它無(wú)法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無(wú)限耐久性,以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM(也稱為STT-RAM或有時(shí)稱為ST-MRAM和ST-RAM)是一種高級(jí)類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比,STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對(duì)于
2021-12-11 14:47:44519

使用非易失性FRAM替換SRAM時(shí)的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬(wàn)億
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn),具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲(chǔ)器
2022-02-17 15:33:241666

Si522A_13.56MHz超低功耗非接觸式讀寫器芯片

Si522A_13.56MHz超低功耗非接觸式讀寫器芯片,支持ISO/IEC 14443A/MIFARE,支持自動(dòng)載波偵測(cè)功能(ACD)
2022-03-09 17:40:46590

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741

低功耗SI512非接觸式讀卡芯片讀寫模式與參數(shù)

低功耗高性能SI512非接觸式讀卡芯片讀寫模式與參數(shù)
2022-10-12 17:50:01611

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,是非易失性存儲(chǔ)器; 讀寫速度快:無(wú)延時(shí)寫入數(shù)據(jù),可覆蓋寫入; 壽命長(zhǎng):可重復(fù)讀寫,重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬(wàn)億次,耐久性強(qiáng),使用壽命長(zhǎng); 功耗低:待機(jī)電流低,無(wú)需后備電池,無(wú)需采用充電泵電路; 可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性
2022-11-10 17:00:141784

13.56MHz 的非接觸式讀寫器Si522A-內(nèi)部集成低功耗自動(dòng)尋卡與定時(shí)喚醒功能

13.56MHz 的非接觸式讀寫器Si522A-內(nèi)部集成低功耗自動(dòng)尋卡與定時(shí)喚醒功能
2022-12-13 18:25:06777

ETC門架數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可選用國(guó)產(chǎn)3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128

PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù),和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32671

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56696

戶外儲(chǔ)能電池的可靠性和耐久性設(shè)計(jì)

本文將探討戶外儲(chǔ)能電池的可靠性和耐久性設(shè)計(jì),以確保其在使用過程中具備高效、安全和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。
2023-08-08 13:50:06379

可在額定負(fù)載下提供低功耗和高電氣耐久性的緊湊型 PCB 功率繼電器

型號(hào)是在易燃?xì)怏w環(huán)境中開關(guān)的理想選擇。這些器件在額定負(fù)載下具有低功耗和高電氣耐久性。 圖:Omron 的 G5PZ 緊湊型 PCB 功率繼電器 01 產(chǎn)品特性 250 VAC 時(shí) 20A,以超薄封裝
2023-09-20 20:10:14278

什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46416

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

與EEPROM、FLASH傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、讀寫耐久性低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51

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