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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

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簡要介紹了不對稱半橋同步整流變換器的5--作原理,對同步整流管的驅(qū)動方式進行了比較和選擇,并在分析變換器的整流損耗的基礎(chǔ)上,總結(jié)出了影響整流損耗和變換器效率的各
2009-10-16 10:23:4126

了一種基于不對稱半橋的單級不對稱半橋變換器

摘要:單級PFC結(jié)構(gòu)簡單,成本低,詳細地介紹了一種基于不對稱半橋的單級不對稱半橋變換器,分析了它的工作原理及主要參數(shù)選擇,并用實驗驗證了其實現(xiàn)PFC和ZVS的特性。 關(guān)鍵詞
2009-10-17 15:40:5818

不對稱半橋DC DC變換器

不對稱半橋DC/DC變換器具有軟開關(guān)工作、器件數(shù)量少以及控制簡單等優(yōu)點,因此,在不超過1000W的中小功率變換電路中得到廣泛的應(yīng)用。但是,在傳統(tǒng)的不對稱半橋電路拓撲中,只
2009-10-17 16:20:3143

采用不對稱繞組變壓器的不對稱半橋電路的研究

為了改善不對稱半橋電路變壓器直流偏磁較大的問題,本穩(wěn)提出一種心的不對稱半橋變換器,其變壓器副邊再繞組不一定對稱,文章詳細分析了心的人半橋電路的工作原理以及實現(xiàn)
2009-10-19 16:44:3744

變壓器的不對稱運行及瞬態(tài)過程

變壓器的不對稱運行及瞬態(tài)過程
2009-11-17 15:20:1514

AEC-Q101分立半導(dǎo)體器件車規(guī)級認證可靠性測試

AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務(wù),同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04

不對稱半橋式正激變流器電路

不對稱半橋式正激變流器電路
2008-08-22 10:11:381975

不對稱的比例鑒頻器

不對稱的比例鑒頻器
2008-12-15 15:06:54983

不對稱OTL電路圖

不對稱OTL電路圖
2009-05-06 16:16:59738

不對稱對稱的脈沖電壓變換器電路圖

不對稱對稱的脈沖電壓變換器電路圖
2009-07-02 10:57:15580

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器 0    引言     目前,對低壓大電流輸出變換器的研究已經(jīng)成為重要的課題之一,如何提高這類變換器的效率
2009-07-04 11:34:361264

不對稱半橋變換器的研究

不對稱半橋變換器的研究 摘要:介紹了一種利用互補的PWM控制的不對稱半橋DC/DC變換器。分析了電路的穩(wěn)態(tài)過程和開關(guān)的ZVS
2009-07-07 10:29:322668

不對稱三相電路

不對稱三相電路概念 如果三相電路中有三相不對稱電源或三相不對稱負載,則成為不對稱三相電路。不對稱
2009-07-27 08:20:476544

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MO

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET  Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089

Vishay發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的新款SMD透射式光傳感器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的新款通過AEC-Q101認證的表面貼裝透射式光傳感器---單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標準AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 1212 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認證
2013-12-13 15:07:13843

Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET? MOSFET

Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890

Vishay推出新款薄型SMPD封裝標準整流器,為汽車應(yīng)用提供ESD功能

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出三款通過AEC-Q101認證
2015-02-11 11:59:291083

Vishay發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認證的高圓頂透射式光傳感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02698

一種基于單相鏈狀電路的不對稱補償器

一種基于單相鏈狀電路的不對稱補償器
2017-01-19 21:22:542

采用不對稱繞組變壓器的不對稱半橋電路的研究及原理

采用不對稱繞組變壓器的不對稱半橋電路的研究及原理
2017-09-14 14:16:0117

不對稱參數(shù)同桿雙回線選相方法研究

線路參數(shù)不對稱的同桿雙回線無法使用傳統(tǒng)的六序分量法進行解耦。針對這個問題,提出一種新的解耦方法。首先,三相分解成正序、負序、零序分量;然后,耦合的零序分量進行解耦,分解為同向和反向分量。該方法
2018-03-28 14:51:190

AEC-Q101汽車電子基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認證的失效機理中文標準

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認證的失效機理中文標準規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0038

淺談AEC-Q101認證標準

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標準規(guī)范要求,AECQ101認證將會是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:385085

Power Integrations推出通過AEC-Q101汽車級認證的200V Qspeed二極管

N200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003049

不對稱半橋變換器的CCM小信號傳遞函數(shù)

不對稱半橋變換器的CCM小信號傳遞函數(shù)
2021-05-29 10:26:474

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器.pdf

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器.pdf(移動電源顯示fu)-:簡要介紹了不對稱半橋同步整流變換器的5--作原理,對同步整流管的驅(qū)動方式進行了比較和選擇,并在分析變換器的整流損耗的基礎(chǔ)上,總結(jié)出了影響整流損耗和變換器效率的各種參數(shù)。
2021-07-26 14:40:0028

40V轉(zhuǎn)24V 20V;40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片

40V轉(zhuǎn)24V 20V;40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術(shù)應(yīng)用期刊)-40V轉(zhuǎn)24V,20V;40V轉(zhuǎn)15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2830

20V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)3.3V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO選型

20V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)3.3V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO選型(通信電源技術(shù)核心)-20V轉(zhuǎn)15V ,20V轉(zhuǎn)12V,20V轉(zhuǎn)9V,20V轉(zhuǎn)5V,20V轉(zhuǎn)3.3V,20V轉(zhuǎn)3V,20V轉(zhuǎn)1.8V,20V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 13:34:3941

Vishay推出塑料封裝新型表面貼裝小信號二極管

Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:521950

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01736

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導(dǎo)體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

Vishay全新厚膜功率電阻通過AEC-Q200認證 設(shè)計更簡化

Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533

符合AEC-Q101認證的車規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構(gòu)德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后,近日,國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應(yīng)管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證
2023-10-25 18:28:10422

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21205

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56130

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