(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
設(shè)備載荷，但同時(shí)對(duì)散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進(jìn)，更匹配，更環(huán)保的PCB板———
氮化硅陶瓷基板。為什么說
氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？
氮化硅在高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性?？梢?/div>
2021-01-21 11:45:54
層需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進(jìn)入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會(huì)存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業(yè)基站成為主流應(yīng)用的前景。相比之下，一個(gè)8英寸硅晶圓廠幾周的產(chǎn)能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個(gè)射頻和微波行業(yè)一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
，通過光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
導(dǎo)線線寬十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問題。同時(shí),側(cè)腐蝕（見圖4）會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻
2018-11-26 16:58:50
電源開關(guān)的能力是 GaN 電源 IC 的一大優(yōu)勢(shì)，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長(zhǎng)，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍(lán)寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對(duì)應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧?b class="flag-6" style="color: red">在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
6吋的 Si基板上。然而，由于硅和氮化鎵的晶體常數(shù)不同，所以其缺陷密度較高，無法形成能夠承受高壓、大電流的縱型 FET，以及高性能的橫向 HEMT。第二個(gè)問題是，氮化鎵晶片是一種結(jié)塊狀（Bulk)，其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
應(yīng)用的企圖心。到2020年時(shí)，氮化鎵組件將進(jìn)軍600～900伏特市場(chǎng)，與碳化硅組件的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個(gè)裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個(gè)浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機(jī)，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
本文介紹一種在鼠標(biāo)概念基礎(chǔ)上研究開發(fā)的密碼輸入方法，或者稱為密碼鼠標(biāo)。這種密碼鼠標(biāo)采用滾動(dòng)的數(shù)碼輸入方式，只有3～4個(gè)鍵，其輸出編碼結(jié)構(gòu)、數(shù)碼傳輸方法和傳輸率等與現(xiàn)行密碼鍵盤完全相同，最大的不同是它可以完全防止輸入密碼時(shí)被他人窺視。
2021-05-27 06:26:07
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
論述了一種測(cè)試混合信號(hào)集成電路襯底噪聲波形的方法采用電壓比較器利用襯底電壓對(duì)比
較器狀態(tài)的影響對(duì)噪聲作出統(tǒng)計(jì)測(cè)試根據(jù)測(cè)試結(jié)果重建噪聲波形設(shè)計(jì)了一
2010-08-29 16:08:46
14 低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國(guó)Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進(jìn)行氮化硅沉積。這個(gè)工藝使用一
2009-06-12 21:08:29
729 針對(duì)目前氮化硅陶瓷球材料性能評(píng)價(jià)體系不完善，以及各個(gè)廠家生產(chǎn)的陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問題，對(duì)3個(gè)較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進(jìn)行了研究
2018-03-20 15:53:131 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對(duì)襯底應(yīng)力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:001 瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392333 據(jù)報(bào)道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學(xué)性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實(shí)現(xiàn)所需的各項(xiàng)功能，因此出現(xiàn)了新的材料平臺(tái)。氮化硅（Si3N4）就是其中一種
2021-05-07 16:00:102754 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490 在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571072 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無漏
2021-12-28 16:38:085458 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快
2021-12-30 10:36:17989 
光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報(bào)道，在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長(zhǎng)的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長(zhǎng)運(yùn)行在微波等離子體化學(xué)
2022-01-21 15:02:04652 
索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:421479 
刻蝕電介質(zhì)(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導(dǎo)體，其中基于氮化鎵材料的反應(yīng)離子刻蝕結(jié)果，揭示了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的熱力學(xué)方法，解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學(xué)物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)，并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:361642 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同時(shí)保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰(zhàn)是如何保持Si3N4對(duì)二氧化硅的高蝕刻選擇性，以獲得更長(zhǎng)的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592554 
摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而，在氮化硅去除過程中，不僅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評(píng)估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時(shí)。主要的含氟氣體，優(yōu)選六氟丁二烯 (C4F6)，與顯著更大
2022-02-24 13:42:292426 
硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實(shí)現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:161811 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
通過使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592993 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問題。
2022-10-13 16:29:58668 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進(jìn)展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574149 
針對(duì)越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:40820 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡(jiǎn)便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:392407 等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時(shí)它們也具有不同的性能和優(yōu)勢(shì)。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:241219 
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅(qū)的CVD氧化物，簡(jiǎn)稱TEOS-ox）和氮化硅的復(fù)合層，并對(duì)TEOS-ox和氮化硅進(jìn)行等離子體蝕刻，形成復(fù)合主側(cè)墻。
2023-01-12 14:11:22704 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:333194 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:522986 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:081126 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級(jí)CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺(tái)已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場(chǎng)上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長(zhǎng)或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機(jī)會(huì)。
2023-02-15 16:37:09878 
國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551016 
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁，這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501109 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng)，氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 新能源電動(dòng)汽車爆發(fā)式增長(zhǎng)的勢(shì)頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，對(duì)提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點(diǎn)也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121383 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57930 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國(guó)科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：國(guó)科光芯）在國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長(zhǎng)
2023-11-17 09:04:54654 ，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點(diǎn)、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:51740 京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 
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