臺(tái)積電則是透過(guò)CEO劉德音表態(tài)指出，7納米制程的SRAM良率已經(jīng)達(dá) 30%到40% ，將會(huì)是業(yè)界首家通過(guò)7納米制程認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2016-06-12 09:39:43
1526 實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：基于電場(chǎng)誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場(chǎng)誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場(chǎng)誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極電場(chǎng)誘導(dǎo)
2021-02-02 17:43:451280 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
通過(guò)高選擇性蝕刻，專(zhuān)用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
2023-03-20 09:41:492006 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴(lài)于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
一種新型多協(xié)作中繼選擇協(xié)議研究
2012-08-06 13:35:31
請(qǐng)求大佬詳細(xì)介紹一下一種新型微弱激光檢測(cè)系統(tǒng)
2021-04-21 06:19:40
【納米發(fā)電技術(shù)】納米發(fā)電機(jī)，是基于規(guī)則的氧化鋅納米線(xiàn)，在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能，是世界上最小的發(fā)電機(jī)。目前納米發(fā)電機(jī)可以分為三類(lèi)：第一類(lèi)是壓電納米發(fā)電機(jī)；第二類(lèi)是摩擦納米發(fā)電機(jī)；第三類(lèi)為熱釋
2021-06-30 07:24:20
什么是摩擦起電？摩擦起電現(xiàn)象是如何產(chǎn)生的？摩擦納米發(fā)電技術(shù)有哪些應(yīng)用？摩擦納米發(fā)電普及后的生活是啥樣的？
2021-06-17 07:08:31
新型非聯(lián)網(wǎng)2.4GHz技術(shù)為什么會(huì)是一種理想的選擇？
2021-05-28 06:15:05
斷開(kāi)，沒(méi)有回路，而靜電場(chǎng)依然存在，可以在外接負(fù)載的情況下產(chǎn)生電流流過(guò)負(fù)載。有四種基本工作模式：1、垂直的摩擦-接觸（最基本，原理上面已經(jīng)講）2、水平滑動(dòng)兩個(gè)電極材料接觸的一面水平滑動(dòng)摩擦產(chǎn)生靜電，而兩個(gè)電極未接觸的一面將產(chǎn)生反向電...
2021-06-30 07:43:18
線(xiàn)和PVDF膜構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)） 2、柔性摩擦納米發(fā)電機(jī) 柔性摩擦納米發(fā)電機(jī)（TENG）使用兩種不同的聚合物/金屬薄膜，利用兩個(gè)薄膜接觸時(shí)摩擦產(chǎn)生的電荷發(fā)電。典型的柔性聚合物摩擦納米發(fā)電機(jī)可產(chǎn)生約3V
2020-08-25 10:59:35
選擇性打開(kāi)前面板
2013-10-16 15:48:13
的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時(shí)，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括
2013-09-13 10:25:12
的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。
2017-10-31 13:40:44
整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂
2012-10-17 15:58:37
焊接前也必須預(yù)先涂敷助焊劑。與波峰焊相比，助焊劑僅涂覆在PCB下部的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接
2012-10-18 16:26:06
部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。
2012-10-18 16:32:47
PCB下部的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接
2018-09-14 11:28:22
)→FQA→成品?！ ?2)要點(diǎn)僅對(duì)導(dǎo)電圖形進(jìn)行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學(xué)鍍銅，光成像以形成導(dǎo)電圖形，這時(shí)候僅對(duì)線(xiàn)路和孔及焊盤(pán)進(jìn)行圖形電鍍銅，使孔內(nèi)平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線(xiàn)圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響，有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的?，F(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊
2018-09-10 16:50:02
串口通訊中，參數(shù)下發(fā)有兩種，一種是下位機(jī)發(fā)的數(shù)據(jù)直接回發(fā)，還有一種是上位機(jī)設(shè)定參數(shù)后下發(fā)，如何實(shí)現(xiàn)選擇？
2015-06-03 13:18:10
我會(huì)冒泡排序，但是我做選擇性排序時(shí)，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問(wèn)題
2018-03-24 14:13:24
/index.html摘要：氮化鎵 (GaN) 納米線(xiàn) (NW) 的器件近年來(lái)引起了很多興趣。超薄 GaN NW 可用于制造許多用于未來(lái)通信和加密系統(tǒng)的新型器件，例如單光子發(fā)射器 (SPE)。傳統(tǒng)的生長(zhǎng)技術(shù)在可制造性
2021-07-08 13:11:24
溶液中 HCl（空心三角形）和 H2O（實(shí)心正方形）的體積部分 x 的函數(shù)。兩個(gè)圖中繪制的速率之間的差異在需要選擇性和明確定義的蝕刻的情況下可能很有用。3.結(jié)論我們已成功找到一種基于 HCl 的蝕刻溶液
2021-07-09 10:23:37
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^(guò)氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。選擇性焊接的流程典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。助焊劑涂布工藝在選擇性焊接
2018-06-28 21:28:53
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)吸波材料的吸波性能要求越來(lái)越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿(mǎn)足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點(diǎn)。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
大量噪聲信號(hào)時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致PDI值偏高。2. 靜態(tài)光散射儀（SLS）：SLS是一種通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀(guān)察顆粒圖像并計(jì)算出其直徑分布情況來(lái)計(jì)算PDI的方法。它具有高靈敏度、高準(zhǔn)確性等優(yōu)點(diǎn)，但需要對(duì)樣品進(jìn)行
2023-11-28 13:38:39
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
分享一種CameraCube新型圖像傳感技術(shù)
2021-06-08 09:29:49
本文提出了一種基于I2C總線(xiàn)的新型可編程增益放大器的設(shè)計(jì)方法，可根據(jù)輸入的模擬信號(hào)大小，自動(dòng)選擇量程進(jìn)行放大/衰減。
2021-04-21 06:01:39
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個(gè)裝滿(mǎn)蝕刻洛液的槽，把板子整個(gè)浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間，且蝕刻速度非常緩慢?？梢酝ㄟ^(guò)加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
新型車(chē)載影音系統(tǒng)的工作原理是什么？如何去設(shè)計(jì)一種新型車(chē)載影音系統(tǒng)？
2021-05-12 06:46:11
為什么要提出一種新型AC-PDP驅(qū)動(dòng)電路？新型AC-PDP驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)思想及其計(jì)算機(jī)仿真新型AC-PDP驅(qū)動(dòng)電路的具體實(shí)現(xiàn)
2021-04-21 07:00:47
在本設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)了一種新型的應(yīng)用pin diodes的射頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換電路，實(shí)現(xiàn)的功能是4路RF輸入信號(hào)選擇其中任意2路RF信號(hào)輸出。
2021-06-04 06:55:00
什么是DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）？如何設(shè)計(jì)一種采用發(fā)散指數(shù)曲線(xiàn)理念的新型DPGA？
2021-04-23 07:05:37
怎么對(duì)labview的數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)，按時(shí)間選擇性讀取啊
2016-01-25 13:03:07
機(jī)臺(tái)及其蝕刻方法，晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，適用于對(duì)具有正面及背面的晶片的邊緣進(jìn)行蝕刻?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一種晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，適用于對(duì)具有正面及背面的晶片的邊緣進(jìn)行蝕刻，而上述蝕刻機(jī)臺(tái)包括：一旋轉(zhuǎn)夾盤(pán)，具有一工作臺(tái)
2018-03-16 11:53:10
求一種新型WCDMA直放站PA的設(shè)計(jì)方案
2021-05-26 06:14:52
請(qǐng)求大佬分享一種新型光電定向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-04-22 06:16:37
本文著重給出了一種新型的電力負(fù)荷控制與監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法。該方法在性能可靠、高精度、低功耗、小體積的基礎(chǔ)上，更能適應(yīng)負(fù)荷管理、電能分析、電量集抄、多種控制方式、優(yōu)化用電分析等功能需要，可滿(mǎn)足電力負(fù)荷側(cè)管理的各種應(yīng)用需求。
2021-04-12 06:56:36
目前手上有個(gè)應(yīng)用程序，生成的數(shù)據(jù)可以復(fù)制到剪貼板中，在Excel中選擇“選擇性粘貼”-》“粘貼鏈接”功能后，excel中顯示的數(shù)據(jù)是前面那個(gè)軟件的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在我想把這個(gè)功能在labview里實(shí)現(xiàn)，請(qǐng)大俠們指點(diǎn)。
2014-01-12 11:43:58
本設(shè)計(jì)實(shí)例概述了一種有源濾波器合成方法，它把濾波器的靈敏度降到了無(wú)源元件的公差范圍，并促成了廉價(jià)、高階、高選擇性的濾波器的制造。
2021-06-07 06:28:37
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程
2013-09-23 14:32:50
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
的?！ y(cè)試方法： 用Taber5750線(xiàn)性磨耗儀測(cè)試高耐磨親水親油易清潔納米涂層的耐磨次數(shù)，磨頭選用妙潔海綿百潔布，沾5%的立白洗潔精，荷重1.0KG，摩擦一個(gè)來(lái)回計(jì)為一次?！ ⊥繉幽湍?b class="flag-6" style="color: red">性決定了其在
2017-10-13 16:53:27
能耗。簡(jiǎn)單的說(shuō)，這也符合未來(lái)輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線(xiàn)能縮小到的尺寸，舉個(gè)例子，長(zhǎng)得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體，L代表著我們期望縮小的閘極長(zhǎng)度，從Drain 端到 Source 端
2016-12-16 18:20:11
能耗。簡(jiǎn)單的說(shuō)，這也符合未來(lái)輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線(xiàn)能縮小到的尺寸，舉個(gè)例子，長(zhǎng)得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體，L代表著我們期望縮小的閘極長(zhǎng)度，從Drain 端到 Source 端
2016-06-29 14:49:15
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：基于電場(chǎng)誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場(chǎng)誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場(chǎng)誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
實(shí)驗(yàn)。本文提出了一種新型的碳納米管天線(xiàn)陣列研究方法，即采用傳統(tǒng)微帶天線(xiàn)和印刷八木天線(xiàn)分別加載碳納米管束的方法對(duì)納米管陣列進(jìn)行空間饋電并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果表明加載碳納米管陣列后微帶天線(xiàn)輻射性能有明顯改變。
2019-05-28 07:58:57
怎么設(shè)計(jì)一種新型射頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換電路？射頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)步驟有哪些？
2021-04-21 07:06:21
為什么要設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？怎樣去設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？
2021-04-22 06:37:20
為什么要提出一種基于AVR的新型防汽車(chē)追尾安全裝置設(shè)計(jì)？怎樣去設(shè)計(jì)一種新型防汽車(chē)追尾安全裝置？
2021-05-12 06:02:32
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類(lèi)和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識(shí)。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
NaYF4 : Eu納米晶的制備和表征:研究了用高溫?zé)峤獾?b class="flag-6" style="color: red">方法可控合成稀土納米晶. 并通過(guò)調(diào)節(jié)不同的溫度來(lái)制備不同形貌和不同晶形的納米材料,成功合成了單分散的α - NaYF4 : Eu和β - NaYF4 :
2009-10-25 12:29:25
21 磁性納米粒子的制備及其細(xì)胞分離方面的應(yīng)用:介紹了一種始終在溶液中制備Fe3O4磁性納米粒子的化學(xué)共沉淀,并對(duì)制得的粒子進(jìn)行表面修飾的方法. 通過(guò)IR, XRD和AFM等測(cè)試儀器對(duì)樣品進(jìn)
2009-10-26 09:23:5914 單分散納米微粒制備方法研究進(jìn)展:單分散納米微粒既可以在嚴(yán)格控制的條件下直接制備,也可以通過(guò)對(duì)多分散納米微粒體系進(jìn)行分級(jí)分離獲得。本文在總結(jié)近年來(lái)國(guó)內(nèi)外單分散納米微
2010-01-02 14:22:3020 本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡(jiǎn)單、形象、直觀(guān)，并以
2010-01-12 17:19:5933 •納米微粒的制備方法分類(lèi)：
•1 根據(jù)是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，納米微粒的制備方法通常分為兩大類(lèi)：
•物理方法和化學(xué)方法。
•2 根
2010-08-12 17:25:3719 納米鐵氧體的制備與表征方法研究摘要：本文對(duì)納米鐵氧體的制備方法以及表征方法做了簡(jiǎn)要的概述，對(duì)鐵氧體的分類(lèi)、納米鐵氧體技術(shù)的發(fā)展及特性也做了介紹，在納米鐵氧
2010-10-02 11:30:4652 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過(guò)強(qiáng)酸氧化處理,表面具有有機(jī)活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長(zhǎng),但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:0549 爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開(kāi)始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛(ài)爾蘭的工廠(chǎng)中部署14納米制程生產(chǎn)線(xiàn)。
2012-05-17 09:09:201142 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010882 
近日，科技日?qǐng)?bào)記者從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校俞書(shū)宏教授課題組與合作者合作，設(shè)計(jì)了一種“脈沖式軸向外延生長(zhǎng)”方法，成功制備了尺寸、結(jié)構(gòu)可調(diào)的一維膠體量子點(diǎn)-納米線(xiàn)分段異質(zhì)結(jié)，利用ZnS納米線(xiàn)對(duì)CdS
2018-11-27 16:19:593143 臺(tái)積電（TSMC）日前在新竹舉行年度股東大會(huì)中，首度透露在其5納米（N4）與3納米制程之間，將會(huì)有4納米制程（N4）的開(kāi)發(fā)。
2020-07-09 15:19:561322 中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室A05組長(zhǎng)期致力于碳納米結(jié)構(gòu)的制備、物性與應(yīng)用基礎(chǔ)研究。該課題組研究人員發(fā)展出一種新的連續(xù)直接制備大面積自支撐的透明導(dǎo)電碳納米管（CNT）薄膜的方法——吹脹氣溶膠法（BACVD）
2020-10-13 14:17:133050 
在利用摩擦起電誘導(dǎo)電致發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)人眼直接觀(guān)測(cè)的空間壓力映射方面，河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院柔性光電薄膜與器件團(tuán)隊(duì)蘇麗博士等人在成功實(shí)現(xiàn)摩擦起電誘導(dǎo)電致發(fā)光寬譜顏色操控基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了新型自驅(qū)動(dòng)可視化柔性壓力傳感器
2020-11-10 10:14:013055 的IOSC相比，用氧化鋅納米制備的IOSCs中短路電流的增加，主要是由于PCE增強(qiáng)后電荷傳輸界面面積的增加。這項(xiàng)工作提出了一種制造具有更大電荷傳輸面積的高效光伏器件的方法，以備未來(lái)的前景。 介紹 為了提高界面穩(wěn)定性和防止器件降解，含有半導(dǎo)體氧化物
2022-01-20 11:27:38298 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢(shì)。它為制備黑硅可見(jiàn)光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對(duì)其微觀(guān)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。
2022-03-29 16:02:59819 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13330 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進(jìn)行了陣列制作鐵氧化物納米點(diǎn)的生物納米過(guò)程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法，這種方法的特點(diǎn)是通過(guò)安裝在反應(yīng)室頂部的天線(xiàn)線(xiàn)圈
2022-05-19 16:05:211502 
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:451683 
本研究的目的是我們?nèi)A林科納開(kāi)發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對(duì)電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F-20TM工具上進(jìn)行的，該工具能夠在一個(gè)基板
2022-05-30 16:39:11917 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米線(xiàn)(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個(gè)極好的平臺(tái)， 從而研究如何使納米線(xiàn)的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導(dǎo)致我們需要考慮如何使納米線(xiàn)的表面功能化，從而以良好的選擇性檢測(cè)特定的氣體分子。
2023-06-16 14:12:33961 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137 
近日，中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所材料研究中心與俄羅斯杜布納聯(lián)合核子研究所合作，研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters
2023-07-04 11:10:56364 
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對(duì)真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線(xiàn)、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開(kāi)發(fā)這種結(jié)構(gòu)提供了一種無(wú)藥物的方法來(lái)對(duì)抗感染，這被認(rèn)為是一種替代釋放抗菌劑的常見(jiàn)抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 
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