EDA（即Ethylene diamine，乙二胺）是一種無(wú)色透明的液體，分子式為C2H8N2。它是一種有機(jī)化合物，常用作化學(xué)試劑。下面將詳細(xì)介紹EDA的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用場(chǎng)景以及相關(guān)的注意事項(xiàng)
2024-02-18 16:24:24
341 蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
超聲波測(cè)距是一種常用的測(cè)距方法，通過(guò)發(fā)射超聲波脈沖，利用其在空氣中傳播速度較快的特點(diǎn)，測(cè)量出從傳感器到目標(biāo)物體的時(shí)間差，并進(jìn)而計(jì)算出距離。超聲波測(cè)距具有非接觸式、高精度、可靠性高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用
2024-01-22 15:22:33352 石墨烯的制備方法主要有2類(lèi)（圖1）：一為“自上而下”法，即通過(guò)物理或者化學(xué)方法對(duì)碳材料進(jìn)行剝離或者剪切，從而獲得高品質(zhì)石墨烯，主要包括機(jī)械剝離法、氧化還原法及電弧放電法等。
2023-12-27 10:23:37135 
芯片晶圓里TaN薄膜是什么？TaN薄膜的性質(zhì)、制備方法 TaN薄膜是一種在芯片晶圓制備過(guò)程中常用的材料。它具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的熱穩(wěn)定性，因此在芯片技術(shù)中應(yīng)用廣泛。本文將對(duì)TaN薄膜的性質(zhì)和制備
2023-12-19 11:48:16376 ELM7785-4PS 型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的ELM7785-4PS是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-12 19:05:54
ELM6472-7PS型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的ELM6472-7PS是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-12 11:23:43
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱(chēng)為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
處理和制備，并且不能應(yīng)用于非球形顆粒。3. 激光衍射法（LD）：LD是一種通過(guò)測(cè)量顆粒在激光束中的散射光強(qiáng)度分布來(lái)計(jì)算出其直徑分布情況并計(jì)算PDI的方法。它具有高精度、高靈敏度等優(yōu)點(diǎn)，但需要對(duì)樣品進(jìn)行
2023-11-28 13:38:39
，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過(guò)使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開(kāi)發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專(zhuān)門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 保證管內(nèi)上部分無(wú)氣泡的條件下，垂直或有傾角地安裝傳感器。超聲波流量計(jì)選型容易忽視的問(wèn)題
一、超聲波流量計(jì)水、氣、油各種介質(zhì)都可以測(cè)量，其應(yīng)用的領(lǐng)域十分廣闊。手持式超聲波流量計(jì)探頭直接安裝在管道
2023-11-13 14:15:21
近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
強(qiáng)化學(xué)習(xí)是機(jī)器學(xué)習(xí)的方式之一，它與監(jiān)督學(xué)習(xí)、無(wú)監(jiān)督學(xué)習(xí)并列，是三種機(jī)器學(xué)習(xí)訓(xùn)練方法之一。 在圍棋上擊敗世界第一李世石的 AlphaGo、在《星際爭(zhēng)霸2》中以 10：1 擊敗了人類(lèi)頂級(jí)職業(yè)玩家
2023-10-30 11:36:401042 
現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的ARM架構(gòu)分為兩種一種是M系列另外一種是A系列，這兩種有什么區(qū)別啊，用的時(shí)候他們一般分別用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 超聲波作為一種特殊的聲波，由于其指向性強(qiáng)，在空氣中傳播速度相比光速要小很多，其傳播時(shí)間容易檢測(cè)，因此，目ljif超聲波測(cè)距中廣泛采用回波一渡越時(shí)間方法111，即檢測(cè)從超聲波發(fā)射器發(fā)出的超聲波，經(jīng)氣體
2023-10-10 06:13:28
IAR中的sizeof是一種運(yùn)算符嗎？是怎么實(shí)現(xiàn)的？
2023-10-08 06:44:50
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
擴(kuò)散模型（diffusion model）在 CV 領(lǐng)域甚至 NLP 領(lǐng)域都已經(jīng)有了令人印象深刻的表現(xiàn)。最近的一些工作開(kāi)始將 diffusion model 用于強(qiáng)化學(xué)習(xí)（RL）中來(lái)解決序列決策問(wèn)題
2023-10-02 10:45:02401 
報(bào)道，近日，波蘭華沙理工大學(xué)（Warsaw University of Technology）的研究人員開(kāi)發(fā)了一種增強(qiáng)型光譜電化學(xué)裝置，其中，基于雙域（光學(xué)和電化學(xué)）光纖的傳感器直接用作工作電極，同時(shí)像光譜電化學(xué)一樣單獨(dú)測(cè)量分析物的光學(xué)特性。該傳感器采
2023-09-26 09:11:38645 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱(chēng)為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 工業(yè)上制備傳統(tǒng)塑料薄膜的主要方法有擠出吹塑法、擠出流延法（含雙向拉伸）、壓延法、溶液流延法等。其中高性能塑料薄膜的制備方法主要有擠出吹塑法、擠出流延法、溶液流延法等，前兩種方法是工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的首選方法，而溶液流延法因受環(huán)境保護(hù)等的限制，目前主要是實(shí)驗(yàn)室研究制樣用。
2023-09-13 15:36:09767 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
2023-09-12 17:25:41665 ，本文將介紹高壓放大器在制備功能材料中的應(yīng)用和作用。 高壓放大器在制備功能材料的電化學(xué)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用。在電化學(xué)合成和電化學(xué)分析中，通常需要施加特定的電勢(shì)或電壓來(lái)促進(jìn)反應(yīng)的進(jìn)行或測(cè)量樣品的電化學(xué)行為。高
2023-09-08 14:22:59189 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
訊維模擬矩陣在深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)智能控制系統(tǒng)中的應(yīng)用主要是通過(guò)構(gòu)建一個(gè)包含多種環(huán)境信息和動(dòng)作空間的模擬矩陣，來(lái)模擬和預(yù)測(cè)深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)智能控制系統(tǒng)在不同環(huán)境下的表現(xiàn)和效果，從而優(yōu)化控制策略和提高系統(tǒng)的性能
2023-09-04 14:26:36294 
厚銅PCB板的優(yōu)勢(shì)
厚銅PCB是一種特殊的PCB，其主要特點(diǎn)是銅厚度大于等于2oz。相比傳統(tǒng)PCB，厚銅PCB在電子制造中有許多優(yōu)勢(shì)。例如，它們能夠承受更高的電流，具有更好的散熱能力，更好的機(jī)械強(qiáng)度
2023-08-18 10:08:02
超聲振動(dòng)棒管道清洗的超聲振動(dòng)棒工具頭發(fā)射頭的前端緊貼在釜體外壁上或伸入釜體的釜腔內(nèi)，超聲波換能器可以對(duì)釜腔內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)物發(fā)送超聲波，被處理的液體由于超聲波的空化作用可造成反應(yīng)體系活性的變化。 超聲
2023-08-16 10:16:59260 半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 石墨烯作為一種特殊的二維材料，具有高導(dǎo)電性、 高比表面積以及優(yōu)異的化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性，金屬氧化物納米顆粒與石墨烯結(jié)合制備獲得的復(fù)合催化劑材料，可增強(qiáng)催化劑體系的導(dǎo)電性、分散性、ORR活性以及穩(wěn)定性
2023-08-11 10:45:39364 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱(chēng)呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 體的發(fā)展，從最早的 AlphaGo、AlphaZero 到后來(lái)的多模態(tài)、多任務(wù)、多具身 AI 智能體 Gato，智能體的訓(xùn)練方法和能力都在不斷演進(jìn)。 從中不難發(fā)現(xiàn)，隨著大模型越來(lái)越成為人工智能發(fā)展的主流趨勢(shì)，DeepMind 在智能體的開(kāi)發(fā)中不斷嘗試將強(qiáng)化學(xué)習(xí)與自然語(yǔ)言處理、計(jì)算機(jī)視覺(jué)
2023-07-24 16:55:02295 
摘要：基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)的目標(biāo)檢測(cè)算法在檢測(cè)過(guò)程中通常采用預(yù)定義搜索行為，其產(chǎn)生的候選區(qū)域形狀和尺寸變化單一，導(dǎo)致目標(biāo)檢測(cè)精確度較低。為此，在基于深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)的視覺(jué)目標(biāo)檢測(cè)算法基礎(chǔ)上，提出聯(lián)合回歸與深度
2023-07-19 14:35:02
0 蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系?b class="flag-6" style="color: red">一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
本文將探討在相同的ESA中，在何處以及如何使用TTD和PS分層方法可以幫助消除一些相控陣設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2023-07-10 15:03:57450 
PS2562-1、PS2562L-1、PS2562L1-1、PS2562L2-1 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 19:43:190 PS2561-1、PS2561L-1、PS2561L1-1、PS2561L2-1 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 19:43:071 PS2501-1、PS2501-4、PS2501L-1、PS2501L-4 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 19:41:550 近日，中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所材料研究中心與俄羅斯杜布納聯(lián)合核子研究所合作，研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters
2023-07-04 11:10:56364 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137 
什么是深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)? 眾所周知，人類(lèi)擅長(zhǎng)解決各種挑戰(zhàn)性的問(wèn)題，從低級(jí)的運(yùn)動(dòng)控制(如：步行、跑步、打網(wǎng)球)到高級(jí)的認(rèn)知任務(wù)。
2023-07-01 10:29:501000 
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí)，CCl為還原物質(zhì)提供了來(lái)源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《人工智能強(qiáng)化學(xué)習(xí)開(kāi)源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-20 09:27:281 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
銅基復(fù)合材料的制備工藝與綜合性能，重點(diǎn)討論了各種制備工藝的特點(diǎn)、強(qiáng)化機(jī)制、構(gòu)型設(shè)計(jì)，總結(jié)了針對(duì)復(fù)合界面結(jié)合弱與石墨烯分散困難這2類(lèi)主要技術(shù)難點(diǎn)的解決途徑，最后對(duì)石墨烯增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備工藝進(jìn)行了展望。
2023-06-14 16:23:483052 
機(jī)械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠流水線上常見(jiàn)的工序，可以有效的提升生產(chǎn)效率，本文針對(duì)機(jī)械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見(jiàn)任務(wù)，結(jié)合深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及視覺(jué)反饋，采用AprilTag視覺(jué)標(biāo)簽、后視經(jīng)驗(yàn)回放機(jī)制
2023-06-12 11:25:221214 
熱軸，它對(duì)于大多數(shù)活化劑都表現(xiàn)出了不良的粘著性，這就需要開(kāi)發(fā)一類(lèi)類(lèi)似去污漬和回蝕化學(xué)作用的技術(shù)。
更適合印制電路板原型制作的一種方法是使用一種特別設(shè)計(jì)的低粘度的油墨，用來(lái)在每個(gè)通孔內(nèi)壁上形成高粘著性
2023-06-12 10:18:18
是否有一種適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">方法可以使原子部分 100% 確定在此期間不會(huì)出現(xiàn)中斷？
有沒(méi)有像
代碼：全選ATOMIC_BLOCK(ATOMIC_RESTORESTATE)
{
...
}
我們?cè)?Linux
2023-06-12 06:38:58
大模型時(shí)代，模型壓縮和加速顯得尤為重要。傳統(tǒng)監(jiān)督學(xué)習(xí)可通過(guò)稀疏神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)模型壓縮和加速，那么同樣需要大量計(jì)算開(kāi)銷(xiāo)的強(qiáng)化學(xué)習(xí)任務(wù)可以基于稀疏網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練嗎？本文提出了一種強(qiáng)化學(xué)習(xí)專(zhuān)用稀疏訓(xùn)練框架
2023-06-11 21:40:02356 
涂層是有機(jī)物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹(shù)脂薄膜。這種覆上一層有機(jī)保焊劑的工藝不需要電子交換，當(dāng)電路板浸沒(méi)在化學(xué)鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以站附到暴露
2023-06-09 14:19:07
C2H2和H2作為一種十分重要的化學(xué)和能源原料，能夠被部分氧化法有效且環(huán)保的生產(chǎn)制備。
2023-06-09 14:07:29467 
強(qiáng)化學(xué)習(xí)（RL）是人工智能的一個(gè)子領(lǐng)域，專(zhuān)注于決策過(guò)程。與其他形式的機(jī)器學(xué)習(xí)相比，強(qiáng)化學(xué)習(xí)模型通過(guò)與環(huán)境交互并以獎(jiǎng)勵(lì)或懲罰的形式接收反饋來(lái)學(xué)習(xí)。
2023-06-09 09:23:23355 你知道是否有一種方法可以使用 Arduino 的代碼塊 IDE 與 ESP MCU 一起工作？Code Blocks 是一個(gè)非常好的輕量級(jí) IDE，已經(jīng)適用于幾乎所有的 Arduino 開(kāi)發(fā)板。
2023-06-09 08:35:23
隨著科技的不斷發(fā)展和進(jìn)步，傳感器技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和改進(jìn)。其中，傳感器厚膜工藝術(shù)是一種比較新的工藝，具有廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求。本文將從傳感器厚膜工藝術(shù)的定義、原理、制備方法、特點(diǎn)、應(yīng)用等方面進(jìn)行探討。
2023-06-07 09:20:14557 奇數(shù)而信號(hào)層為偶數(shù)可采用這種方法。一個(gè)簡(jiǎn)單的方法是在不改變其他設(shè)置的情況下在層疊中間加一地層。先按奇數(shù)層PCB種布線，再在中間復(fù)制地層，標(biāo)記剩余的層。這和加厚地層的敷箔的電氣特性一樣。
3）在接近
2023-06-05 14:37:25
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴(lài)蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見(jiàn)的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過(guò)程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專(zhuān)業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
嗨，
（首先抱歉我的英語(yǔ)不好）
一個(gè)月以來(lái)我一直在玩 ESP，我真的很喜歡它！
但現(xiàn)在我想更進(jìn)一步，將 ESP 連接到 Openhab 并控制燈、RGB-LED 等。
所以我的問(wèn)題：是否有一種簡(jiǎn)單的（對(duì)于傻瓜）方法將 esp 連接到 openhab 并發(fā)送特殊命令（例如 RGB-Color）。
2023-05-24 08:14:35
一種簡(jiǎn)單的報(bào)錯(cuò)設(shè)計(jì)，可在次基礎(chǔ)上增加。
沖突
阻擋
重復(fù)
不在工位
不在崗
計(jì)時(shí)不準(zhǔn)
范圍外
強(qiáng)停
其它
2023-05-20 20:07:57
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
為了應(yīng)對(duì)在未來(lái)復(fù)雜的戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境下，由于通信受限等原因?qū)е碌募惺經(jīng)Q策模式難以實(shí)施的情況，提出了一個(gè)基于多智能體深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)方法的分布式作戰(zhàn)體系任務(wù)分配算法，該算法為各作戰(zhàn)單元均設(shè)計(jì)一個(gè)獨(dú)立的策略網(wǎng)絡(luò)
2023-05-18 16:46:432444 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
問(wèn)題：是否有一種“簡(jiǎn)單”的方法來(lái)增加允許的“打開(kāi)”文件的最大數(shù)量（=====>SPIFFS）
我在 esp8266 HTML 頁(yè)面上使用#include
2023-05-15 07:21:52
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 總而言之，
我有一個(gè)在 ESP8266 上使用 painlessMesh 的項(xiàng)目。
已經(jīng)工作了好幾個(gè)月了。
不幸的是，最新版本的 8266 內(nèi)核導(dǎo)致 painlessMesh 編譯錯(cuò)誤。
有沒(méi)有一種方法可以在“附加板管理器 URL”中指定舊版本
2023-05-08 08:25:01
如果我沒(méi)有或不想使用面包板，那么 esp8266 或 esp32 板是正確的？有沒(méi)有一種方法可以簡(jiǎn)單地連接到我的計(jì)算機(jī) USB 以進(jìn)行編程和供電？
2023-04-27 08:07:07
→水沖→蝕刻?！ 、趫D形電鍍是對(duì)導(dǎo)電圖像進(jìn)行選擇性的電鍍。一般有兩種情況：一種方法是先用化學(xué)鍍提供0.5～1.0μm的導(dǎo)電銅層，然后全板電鍍銅，使其鍍層厚度達(dá)到5μm左右?！ D形電鍍銅是在圖像轉(zhuǎn)移后進(jìn)
2023-04-20 15:25:28
[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074 提出了一種利用飛秒激光誘導(dǎo)化學(xué)蝕刻（FLICE）制造壓電致動(dòng)的石英晶體MEMS諧振器的方法。
2023-04-20 09:10:46878 （ENEPIG）ENEPIG是對(duì)ENIG工藝的一種升級(jí)，在化學(xué)鎳層和鍍金層之間增加了一層薄薄的鈀層。鈀層保護(hù)了鎳層（鎳層保護(hù)銅導(dǎo)體），而金層同時(shí)保護(hù)鈀和鎳。這種表面處理非常適合器件與PCB的引線鍵合
2023-04-19 11:53:15
4層PCB是一種常見(jiàn)的多層PCB類(lèi)型，具有多種用途。您是否有興趣了解更多關(guān)于它們的信息，特別是它們的堆棧設(shè)計(jì)和類(lèi)型？它們的優(yōu)點(diǎn)是什么，與2層PCB相比如何?
2023-04-14 15:38:20
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 電鍍又稱(chēng)電沉積，是一種功能性金屬薄膜的制備方法。電鍍本質(zhì)上屬于種電化學(xué)還原過(guò)程
2023-04-11 17:08:002977 使用Isaac Gym來(lái)強(qiáng)化學(xué)習(xí)mycobot抓取任務(wù)
2023-04-11 14:57:125334 
訂單調(diào)度，提出了一種使用多agent強(qiáng)化學(xué)習(xí)的方法，其中AMRagent根據(jù)各自的觀察學(xué)習(xí)對(duì)訂單進(jìn)行投標(biāo)。在機(jī)器人仿真環(huán)境中研究了該方法。結(jié)果表明，與常用的調(diào)度規(guī)則相比，該算法的訂
單分配效率更高。
2023-04-11 10:59:240 軟件驅(qū)動(dòng)程序是否有一種相當(dāng)簡(jiǎn)單的方法來(lái)檢測(cè)安裝了哪個(gè) rtc 設(shè)備？我們從 PCF2127 開(kāi)始，但由于其他原因正在重新設(shè)計(jì)，并且由于 NRND 的 PCF2127 狀態(tài)，考慮轉(zhuǎn)向 PCF2131。但軟件必須支持這兩種設(shè)備。
2023-04-06 07:31:51
親愛(ài)的團(tuán)隊(duì)，我的客戶(hù)希望在 Wayland/Weston 支持下具有遠(yuǎn)程控制能力。你能推薦一種控制 Linux (Yocto) 的方法，比如 anydesk 嗎？
2023-03-31 06:56:47
我想知道是否有一種現(xiàn)有的方法可以在控制橋端記錄 zigbee 3.0 網(wǎng)絡(luò)統(tǒng)計(jì)信息？統(tǒng)計(jì)為：重新加入的節(jié)點(diǎn)數(shù)量、連接丟失等......要檢查 Zigbee 網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性如何？
2023-03-31 06:36:19
超聲波清洗儀器被制藥實(shí)驗(yàn)室用于溶劑脫氣和樣品制備。超聲浴可快速脫氣HPLC溶劑。分散且難以溶解的樣品加速輔助溶解。
2023-03-30 09:53:10777 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 嗨，我使用的是基于 LS1046ARDB 的定制板，我在我的定制板中修改了幾個(gè)硬件組件（例如：Phy、EEPROM 等）。有沒(méi)有一種方法可以使用 codewarrior tap 逐步調(diào)試固件映像
2023-03-29 09:02:17
。3-2um,重量增加較少，目的是在不導(dǎo)電的環(huán)氧玻璃布基材（或其他基材）通過(guò)化學(xué)方法沉上一層銅，便于后面電鍍導(dǎo)通形成線路；④ 全板鍍銅：主要是為加厚保護(hù)那層薄薄的化學(xué)銅以防其在空氣中氧化，形成孔內(nèi)無(wú)銅或
2023-03-24 11:24:22
提出一種載波疊層的控制方法，其idea 的來(lái)源是我之前學(xué)習(xí)研究 TNCP 的控制時(shí)的學(xué)習(xí)理解?！ ⊥ㄟ^(guò)疊層載波方法，可以把 BUCK的 PWM載波放到下層，然后把 BOOST的 PWM載波放置到上
2023-03-23 14:10:33
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