2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項新的合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
3472 
意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298 
意法半導(dǎo)體獨有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179 
芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191337 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:22845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲
2017-09-25 17:21:098151 5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 在美國的三星代工論壇上，Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作，展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯(lián)網(wǎng)測試芯片和開發(fā)板。
2019-06-05 16:59:011398 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:415772 絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊，該技術(shù)未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術(shù)的極限。該機構(gòu)透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428 這種襯底也提高了產(chǎn)品的絕緣水平與線性度；第四，RF SOI可以集成邏輯與控制功能，這是GaAs工藝無法做到的，所以GaAs器件在應(yīng)用當中需要再搭配一顆控制芯片，采用RF SOI工藝就可以把PA和控制功能
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
描述萊迪思HX4K FPGA 突破這款 FPGA 分線板旨在記錄如何開始 FPGA 編程，從硬件設(shè)計文件到加載比特流。為了嘗試將其作為一個項目進行訪問，該板的一個設(shè)計目標是使其能夠僅使用烙鐵進行手工
2022-08-23 07:21:04
RISC-V應(yīng)用的萊迪思FPGA可以推動數(shù)以百萬計的高效創(chuàng)新應(yīng)用的開發(fā)。SiFive是基于開放和免費RISC-V架構(gòu)的芯片和處理器核心IP解決方案的主要供應(yīng)商。它擁有一支由經(jīng)驗豐富的RISC-V發(fā)明者
2020-07-27 17:57:36
（G.8275.2）T-BC、T-TSC C類的ITU定時特性（G.8273.2）基于萊迪思FPGA的全新開發(fā)平臺也已添加到萊迪思ORAN方案中。包括了FPGA板和定時源開發(fā)板的安全定時和同步套件旨在簡化新的電信應(yīng)用的測試、演示和開發(fā)。
2023-03-03 16:52:10
工藝節(jié)點中設(shè)計，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
從前端到全端：JavaScript逆襲之路
2019-07-29 14:45:10
這種襯底也提高了產(chǎn)品的絕緣水平與線性度；第四，RF SOI可以集成邏輯與控制功能，這是GaAs工藝無法做到的，所以GaAs器件在應(yīng)用當中需要再搭配一顆控制芯片，采用RF SOI工藝就可以把PA和控制功能
2017-07-13 09:14:06
國產(chǎn)有哪些FPGA入門？萊迪思半導(dǎo)體？高云半導(dǎo)體？
2023-12-05 16:05:38
開發(fā)的 CMP 工藝，我們平面化了沉積在 SOI 波導(dǎo)電路上的 BCB 層，并成功地將 III-V 芯片粘合到這種平面化的 SOI 波導(dǎo)上。接合后BCB層的總厚度為200nm，而接合層本身的厚度為
2021-07-08 13:14:11
，FPGA能否在以便攜產(chǎn)品為主體的消費電子領(lǐng)域占到一席之地呢？對于這個問題，萊迪思半導(dǎo)體公司給出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
其余部分的橋接?？删幊踢壿嬈骷?b class="flag-6" style="color: red">FPGA芯片LCMXO2-640HC-4TG100C----互連-可穿戴設(shè)備解決方案應(yīng)用處理器的I/O限制是否成為了您的設(shè)計障礙？萊迪思FPGA能夠幫助您。使用萊迪思FPGA
2019-09-20 15:13:30
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
接口。”理想的解決方案是采用低成本的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA），如萊迪思半導(dǎo)體的 iCE40UltraPlus?器件（圖 3）。圖 3.FPGA 價格較低且非常靈活使用 FPGA 實現(xiàn)單線聚合功能
2020-10-23 09:16:56
I2C 通道替代其中一個 I2S 接口?！崩硐氲慕鉀Q方案是采用低成本的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA），如萊迪思半導(dǎo)體的 iCE40 UltraPlus?器件（ 圖 3）。圖 3. FPGA 價格較低且非常
2021-05-25 14:36:00
位色深）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">萊迪思實現(xiàn)了同時支持DVI TX和RX功能的參考設(shè)計。該設(shè)計利用了LatticeECP3或LatticeECP2M FPGA系列中的CML SERDES通道，來支持更高速率的DVI傳輸
2019-06-05 05:00:17
如何開始著手學(xué)習(xí)或者說有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
編譯經(jīng)過訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型并將其下載到CrossLink-NX FPGA中。圖6：sensAI支持多種AI算法模型CrossLink-NX FPGA采用28nm FD-SOI工藝制造，與同類FPGA競
2020-10-23 11:43:04
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
國內(nèi)超過100億元的FPGA市場中，國產(chǎn)市占率僅為4%。目前，全球FPGA市場基本被四大巨頭壟斷：Xilinx（賽靈思）、Intel（英特爾，此前收購了Altera）、Lattice（萊迪思）、Mic...
2021-07-30 06:32:06
。此外，FPGA通常有很寬的溫度范圍，并有很長的產(chǎn)品生命周期?！ ♂槍CP2M和ECP3器件系列，萊迪思（Lattice）半導(dǎo)體公司最近推出了DVI/HDMI接口的參考設(shè)計。萊迪思半導(dǎo)體公司
2019-06-06 05:00:34
、開發(fā)軟件和駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)的注意力跟蹤等演示。以下是這些演示的詳細信息。萊迪思Avant-E先聲奪人· 萊迪思Avant-E FPGA是基于萊迪思Avant?平臺的首款器件，該平臺旨在為中端FPGA市場
2023-02-21 13:40:29
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進行一項關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設(shè)計公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 置凌動處理器，把凌動E600處理器和Altera的FPGA集成到一個多芯片封裝之中，開啟了處理器和FPGA融合的新時代。
2015-02-04 09:37:05989 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912 據(jù)報道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺，以支持用于工業(yè)及消費
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設(shè)計訂單，其中有超過十幾項設(shè)計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對市場已經(jīng)沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362165 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務(wù)報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 研發(fā)自適應(yīng)體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工藝技術(shù)芯片上系統(tǒng)(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等多種高增長應(yīng)用。 作為合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01323 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:512985 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204247 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 FPGA 被稱為“萬能芯片”，是人工智能時代的“紅人”。經(jīng)過十幾年的市場變革，現(xiàn)在很多人關(guān)注 FPGA 更多是看頭部的兩家廠商——英特爾和賽靈思。
2019-12-12 15:29:07651 AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713 近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA，采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產(chǎn)品相比最大的特點是其擁有領(lǐng)先的I/O密度，據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36770 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新，旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:432395 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:361984 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術(shù)平臺上的第二款產(chǎn)品，它將為更廣泛的應(yīng)用帶來 FD-SOI 工藝的優(yōu)勢。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O，PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13598 
Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 行業(yè)領(lǐng)先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構(gòu)方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝，CertusPro-NX器件提供卓越的性能，同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338 Yulong410SE是歐比特公司推出的新- -代嵌入式處理器芯片，芯片聚焦于圖像處理、信號處理和智能控制。Yulong410SE芯片為異構(gòu)多核架構(gòu)(ARM+SPARC)， 采用FD-SOI生產(chǎn)工藝
2022-06-08 15:32:526 機構(gòu)方面表示，新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計進行互換，還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器（envm）技術(shù)。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 如今談起晶圓工藝，大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET，抑或是尚出于完善階段的GAA，臺積電、三星、英特爾……無數(shù)廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙，不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:50250 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
，在AI時代下邊緣端設(shè)備會出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測和看法
2023-11-21 17:39:11805 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論