資料介紹
在邏輯電平互連的過(guò)程中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)電流倒灌的現(xiàn)象。本篇從IO口的結(jié)構(gòu)出發(fā),分析電流倒灌的原因及解決措施。
1、IO口結(jié)構(gòu)
IO口根據(jù)接口類型的不同,分為高阻、三態(tài)、推挽、開漏等,但除了功能性區(qū)別外,幾乎所有IO口都會(huì)存在如下結(jié)構(gòu)所示的四個(gè)二極管。
D1在大多數(shù)CMOS集成電路中起著防靜電功能,同時(shí)輔助起著輸入端限幅作用。但是在ABT、LVT、LVC和AHC/AHCT類集成電路中無(wú)此二極管。
D2是半導(dǎo)體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數(shù)字集成電路),其輔助功能為對(duì)線路反射的下沖信號(hào)進(jìn)行限幅,提供一些放電保護(hù)功能。
D3用于保護(hù)CMOS電路在放電時(shí)的干擾。在大多數(shù)雙極性器件中也存在此二極管,但為寄生二極管。在集電極開路和三態(tài)輸出的雙極性器件中無(wú)此二極管。
D4在所有集成電路中均存在此二極管。它是器件的集電極或漏極的二極管。在雙極性器件中還附加了一個(gè)肖特基二極管對(duì)線路反射的下沖信號(hào)進(jìn)行限幅。在CMOS電路中附加了二極管以增加防靜電功能。
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