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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>提高電源管理芯片的能效,國內(nèi)外廠商們都是如何做的?資料下載

提高電源管理芯片的能效,國內(nèi)外廠商們都是如何做的?資料下載

2021-04-16 | pdf | 1.45MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

電子工程專輯主分析師在《》中提到了電源管理芯片重要性,“隨著電池供電設(shè)備和社會(huì)及市場(chǎng)對(duì)節(jié)能環(huán)保的要求越來越高,電子設(shè)備的電源管理趨于精細(xì)化和差異化,電源管理芯片已經(jīng)成為提升整機(jī)性能和差異化競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵?!?a href='http://hljzzgx.com/v/tag/1252/' target='_blank' class='arckwlink_none'>無線通信消費(fèi)電子、IoT設(shè)備、5G新能源電動(dòng)車等熱門應(yīng)用都對(duì)電源管理和功率器件有強(qiáng)勁的需求,但對(duì)高能效也有更高的要求。 第21屆電源管理技術(shù)論壇現(xiàn)場(chǎng) SiC功率器件在大功率電源的應(yīng)用 在此屆的電源管理技術(shù)論壇上,ST功率分離器件市場(chǎng)部區(qū)域經(jīng)理呂曉東(Lay LV )在與在場(chǎng)觀眾分享功率器件在大功率電源中的應(yīng)用時(shí)首先提到了ST的一些關(guān)鍵功率技術(shù),這些技術(shù)主要應(yīng)用于電動(dòng)車輛(OBC,DC-DC)、電信電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源及太陽能逆變器。其中涵蓋多項(xiàng)SiC技術(shù)。 廣告 ST功率分離器件市場(chǎng)部區(qū)域經(jīng)理呂曉東 ST一些關(guān)鍵功率技術(shù) 意法半導(dǎo)體從1996年開始從事碳化硅技術(shù)研發(fā)。在半導(dǎo)體市場(chǎng)推出一項(xiàng)新技術(shù),質(zhì)量高、壽命長(zhǎng),成本有競(jìng)爭(zhēng)力是基本要求。意法半導(dǎo)體戰(zhàn)勝了這種寬帶隙材料的量產(chǎn)挑戰(zhàn),于2004年開始生產(chǎn)其首款SiC二極管。2009年,意法半導(dǎo)體的第一款SiC MOSFET投產(chǎn),此后又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極管,以完善原來的650V產(chǎn)品組合。意法半導(dǎo)體在SiC產(chǎn)品上有超過20年的經(jīng)驗(yàn),為客戶帶來了SiC Diode/MOSFET/Driver,目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陸續(xù)批產(chǎn)面世。 意法半導(dǎo)體的碳化硅二極管產(chǎn)品系列電壓范圍從600到1200V,包括單、雙二極管。它們有多種封裝,從DPAK到TO-247以及絕緣的TO-220AB/AC,為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性,具有高效、穩(wěn)定和快速投放市場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)。 以效率著稱的GaN技術(shù) “氮化鎵(GaN)技術(shù)能造就更好的電源,而Power Integrations(PI)的PowiGaN技術(shù),在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌和電壓浮動(dòng)的沖擊。這樣OEM廠商只需一個(gè)電源設(shè)計(jì)即可滿足全球通用的要求。新器件到應(yīng)用范圍非常廣泛,包括用于移動(dòng)設(shè)備的USB PD和大電流充電器/適配器,以及機(jī)頂盒、顯示器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、游戲產(chǎn)品和家電,尤其適合于那些旨在滿足計(jì)劃中的歐洲能效標(biāo)簽指令要求的產(chǎn)品?!盤I資深FAE王洪奎(Kevin Wang) 在論壇上向觀眾們介紹到。 PI資深FAE王洪奎(Kevin Wang) 最新數(shù)據(jù),目前PI的GaN芯片出貨量已超過800萬片,其中采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch 3開關(guān)電源IC已超過一百萬片,相關(guān)方案已被多家客戶采用。著名手機(jī)廠商OPPO已經(jīng)有采用PI芯片的GaN充電器,三星,小米后續(xù)也會(huì)推出采用PI GaN芯片的產(chǎn)品。 采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch 3 IC可實(shí)現(xiàn)高達(dá)100W的輸出功率。InnoSwitch 3 芯片包括針對(duì)數(shù)字控制的InnoSwitch3-Pro、針對(duì)恒功率的InnoSwitch3-CP,還有適合適合敞開式電源的InnoSwitch3-EP,適合顯示器的InnoSwitch3-MX以及用于LED照明的LYTSwitch 6五大陣營。 其中,針對(duì)變壓器應(yīng)用推出的InnoSwitch3-Pro系列開關(guān)電源IC,采用可變頻率返馳式架構(gòu),支持同步整流、準(zhǔn)諧振(QR)與連續(xù)/不連續(xù)導(dǎo)通(CCM/DCM)運(yùn)作模式,具備精簡(jiǎn)化優(yōu)勢(shì),能提供低功率、高可靠性的手機(jī)/便攜設(shè)備變壓器設(shè)計(jì)解決方案。 InnoSwitch3-Pro的設(shè)計(jì)整合一次側(cè)和二次側(cè)控制,支持以I2C接口數(shù)字控制輸出電壓與電流,已通過安規(guī)認(rèn)證;而該組件能實(shí)現(xiàn)精簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),能達(dá)到降低成本的效果。采用該芯片的多項(xiàng)設(shè)計(jì)也已經(jīng)成功通過USB PD+PDD的兼容性測(cè)試,將為各種便攜設(shè)備帶來更快速、安全的充電解決方案。 PI憑借高集成度和高效率實(shí)現(xiàn)緊湊的USB PD和快充設(shè)計(jì) 如何簡(jiǎn)化新一代以太網(wǎng)路90W供電設(shè)計(jì) Silicon Labs中國區(qū)高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師楊琪霞在本次論壇中與現(xiàn)場(chǎng)觀眾探討了如何簡(jiǎn)化新一代以太網(wǎng)路90W供電設(shè)計(jì),添加90W PoE到供電端設(shè)備(PSE)和受電端設(shè)備(PD)時(shí)如何降低設(shè)計(jì)成本和復(fù)雜度,涵蓋從15W到90W的以太網(wǎng)電纜兩端,Silicon Labs為開發(fā)人員提供了適用于各種PSE和PD應(yīng)用的靈活性選擇。全新的產(chǎn)品不僅兼容IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn),并將標(biāo)準(zhǔn)PoE功率提高了一倍以上,擴(kuò)展了無線接入點(diǎn)和IoT無線網(wǎng)關(guān)的功能,有助于實(shí)現(xiàn)PoE供電的5G小基站和數(shù)字化樓宇。? 在介紹其公司POE產(chǎn)品路線圖時(shí),著重介紹了已經(jīng)出樣三種新的PSE和PD產(chǎn)品:
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