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標(biāo)簽 > 擊穿電壓
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被保護電路的正常工作電壓高于TVS二極管的擊穿電壓會損壞TVS嗎?答案出乎意料
在電路正常工作情況下,TVS二極管應(yīng)該處于截止?fàn)顟B(tài),即TVS的額定反向關(guān)斷電壓VRM應(yīng)大于被保護電路的最高工作電壓,但是我們有時候會發(fā)現(xiàn)在一些電路中TV...
TVS二極管是一種用于保護敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊(如雷擊、靜電放電等)損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,TVS二極管的正確選用是確保電路可靠性和穩(wěn)定性...
二極管擊穿電壓是指二極管在反向偏置下,電流突然增大,導(dǎo)致二極管損壞的電壓值。 最大值(Peak Value):最大值是指在一個周期內(nèi),電壓或電流的最大瞬...
2024-08-08 標(biāo)簽:二極管電流半導(dǎo)體材料 874 0
絕緣擊穿電壓是衡量絕緣材料或系統(tǒng)在多高電壓下會發(fā)生破壞性放電的一個重要指標(biāo)。影響絕緣擊穿電壓的因素眾多,包括材料特性、環(huán)境條件、設(shè)計參數(shù)等。以下詳細分析...
電容器擊穿是指電容器的介質(zhì)層失去絕緣能力,導(dǎo)致電流突然大幅增加的現(xiàn)象。了解電容器擊穿的特征有助于正確使用電容器,并在設(shè)計電路時采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施。以下是...
電容器是電子電路中至關(guān)重要的組件之一,它儲存和釋放電能,用于平滑電流、濾波、耦合信號、定時等功能。然而,電容器在運行過程中可能會遇到擊穿現(xiàn)象,即其絕緣材...
PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。
CP,F(xiàn)T,WAT都是與芯片的測試有關(guān),他們有什么區(qū)別呢?如何區(qū)分?
CP是把壞的Die挑出來,可以減少封裝和測試的成本。
LM4040精密微功耗并聯(lián)型電壓基準(zhǔn),帶有多種反向擊穿電壓立即下載
類別:IC datasheet pdf 2012-01-31 標(biāo)簽:電壓基準(zhǔn)擊穿電壓LM4040 2437 0
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,單光子雪崩探測器(SPAD)是指工作電壓高于擊穿電壓的APD,也稱為蓋革模式APD,通過配套淬滅電路和讀出電路對雪崩倍增過程進行淬滅和...
2024-05-27 標(biāo)簽:探測器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擊穿電壓 1086 0
合科泰推出一款經(jīng)典且常用的TO-220封裝高壓MOS管4N60
高壓MOS管通常需要較大的柵極電壓,以使MOS管可以承受高電壓和高電流。
2024-04-26 標(biāo)簽:led照明開關(guān)電源MOS管 1517 0
華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)
在當(dāng)今社會,射頻(RF)技術(shù)的進步和應(yīng)用已經(jīng)深入到我們?nèi)粘I畹姆椒矫婷妫绕涫窃诠I(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域中,射頻器件的應(yīng)用促進了這些領(lǐng)域技術(shù)的飛速發(fā)展。
雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎?
雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎? 雪崩擊穿是電氣工程領(lǐng)域中的一個重要概念,它是指當(dāng)高壓電力系統(tǒng)中的絕緣體遭受較高電壓的沖...
2024-03-26 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)雪崩擊穿擊穿電壓 2666 0
TVS二極管長時間加載Vbr電壓會不會燒毀? 當(dāng)一個TVS二極管長時間加載其Vbr(反向擊穿電壓)時,不會導(dǎo)致燒毀。事實上,這正是TVS二極管的設(shè)計目的...
為什么二極管在線測量時,反向有電壓? 二極管是一種電子器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。在正常工作狀態(tài)下,二極管具有正向?qū)щ娦?,也就是指它只能讓電流從正向(?..
半導(dǎo)體放電管的選型技巧 半導(dǎo)體放電管是一種用于電子設(shè)備中的重要元件。在選型時,需要考慮一系列的因素,包括電壓、電流、功率、封裝、溫度特性等。 一、電壓特...
2024-01-03 標(biāo)簽:擊穿電壓浪涌電流半導(dǎo)體放電管 551 0
瞬態(tài)抑制二極管導(dǎo)電特性及選用方法分析? 瞬態(tài)抑制二極管是一種用于電路保護的二極管,它具有快速響應(yīng)和高度可靠的抑制瞬態(tài)電壓的能力。在本文中,我們將探討瞬態(tài)...
2024-01-03 標(biāo)簽:二極管擊穿電壓瞬態(tài)抑制二極管 538 0
碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管...
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