刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自194...

2024-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濕法刻蝕 103 0

ALE的刻蝕原理?

????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的，均是自限性反應(yīng)，一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每...

2024-12-20 標(biāo)簽：ALE 刻蝕 75 0

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

無偏差的刻蝕過程，我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程，我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先，第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理，這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 95 0

飛秒激光與刻蝕組合加工技術(shù)介紹

(1)什么是飛秒激光激光器作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，因激光具有方向性、單色性好以及具有良好相干性等特點(diǎn)，在諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。 20世紀(jì)70年...

2024-12-17 標(biāo)簽：激光刻蝕 122 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過程中的各工藝站點(diǎn)，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片芯片制造刻蝕 282 0

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕利用等離子...

2024-12-06 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 214 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...

2024-12-05 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 376 0

IMD4工藝是什么意思

IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD4 會(huì)隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 292 0

IMD3工藝是什么意思

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會(huì)隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 227 0

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

2024-11-15 標(biāo)簽：工藝刻蝕 IMD 248 0

刻蝕帖子

刻蝕資料下載

晶體硅太陽能電池刻蝕的作用及方法與刻蝕的工藝流程等介紹立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-09-29 標(biāo)簽：太陽能電池刻蝕 1742 0

刻蝕資訊

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電...

2024-12-19 標(biāo)簽：fib 離子束刻蝕 86 0

腔室壓力對(duì)刻蝕的影響

本文介紹了腔室壓力對(duì)刻蝕的影響。 ? 腔室壓力是如何調(diào)節(jié)的？對(duì)刻蝕的結(jié)果有什么影響？ ? 什么是腔室壓力？腔室壓力是指在刻蝕設(shè)備的工藝腔室內(nèi)的氣體壓力...

2024-12-17 標(biāo)簽：工藝刻蝕 126 0

干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

離子轟擊的不均勻性干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中，離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如...

2024-12-17 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 103 0

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

文章來源：半導(dǎo)體與物理原文作者：jjfly686 本文簡(jiǎn)單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。全環(huán)繞柵極晶體...

2024-12-17 標(biāo)簽：SiGe 刻蝕 92 0

半導(dǎo)體濕法刻蝕設(shè)備加熱器的作用

其實(shí)在半導(dǎo)體濕法刻蝕整個(gè)設(shè)備中有一個(gè)比較重要部件，或許你是專業(yè)的，第一反應(yīng)就是它。沒錯(cuò)，加熱器！但是也有不少剛?cè)胄?，或者了解不深的人好奇，半?dǎo)體濕法刻蝕...

2024-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體加熱器刻蝕 81 0

干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。什么是側(cè)壁彎曲？如上圖，是典型的干法刻蝕時(shí)，側(cè)壁彎曲的樣子，側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直...

2024-12-03 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 191 0

晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。 ? 聚合物沉...

2024-12-03 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 225 0

SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理

本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...

2024-12-02 標(biāo)簽：薄膜 SiO2 刻蝕 231 0

干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？ 1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度晶圓表面溫度：控制...

2024-12-02 標(biāo)簽：脈沖射頻功率刻蝕 309 0

為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。什么是低溫等離子體刻蝕，除了低溫難道還有高溫嗎？等離子體的溫度？? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài)，并不是只...

2024-11-16 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 216 0

刻蝕數(shù)據(jù)手冊(cè)

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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