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標簽 > 功率元器件
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優(yōu)勢。
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術
與硅器件相比,GaN器件具有更低的導通電阻值和更優(yōu)異的高速開關性能,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉換過程中能量損耗
人們普遍認為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關速度,有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制,在實際...
隨著5G信號逐漸大規(guī)模覆蓋,大量5G基站的新建與重建以及4G基站的擴容已經(jīng)逐步開工,這勢必會為電源市場帶來新的機會,對鋰電池、機房溫控設備、基礎元件的需...
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍,這背后離不開技術人員的默默付出。
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