以下文章來源于愛在七夕時(shí) ,作者愛在七夕時(shí)
IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間(SCWT:Short Circuit Withstand Time)”的電氣特性(參數(shù))。通常,在IGBT等功率元器件處于短路狀態(tài)時(shí),會(huì)流過大電流并在短時(shí)間內(nèi)造成元器件損壞,但短路耐受時(shí)間意味著在發(fā)生短路時(shí),可以承受而不至于損壞的時(shí)間,也稱之為“允許的短路時(shí)間”。
IGBT等功率元器件短路,比如IGBT(下面以IGBT為例進(jìn)行解說),是指在集電極和發(fā)射極之間被施加了高電壓(VCC)的狀態(tài)下IGBT導(dǎo)通,并且在已導(dǎo)通的IGBT中流過很大的集電極電流IC的狀態(tài)。這可能是由控制電路故障或某種誤動(dòng)作引起的。
為了幫助您理解這種短路,在下面給出了測(cè)量短路耐受時(shí)間時(shí)的基本電路示例和波形。當(dāng)將VCC施加在關(guān)斷狀態(tài)的IGBT上、通過柵極驅(qū)動(dòng)電路使IGBT導(dǎo)通時(shí),電容器中積蓄的電荷會(huì)突然流入IGBT,并且經(jīng)過一定時(shí)間后會(huì)導(dǎo)致IGBT損壞。到損壞所用的時(shí)間因VCC電壓、溫度、封裝類型等因素而異,大致為幾μs~幾十μs。在試驗(yàn)中,通過控制柵極驅(qū)動(dòng)電路并逐漸增加導(dǎo)通時(shí)間來確認(rèn)器件是否損壞,并重復(fù)此操作來測(cè)量直到損壞所用的時(shí)間。或者,可以通過確認(rèn)產(chǎn)品在規(guī)定的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)沒有損壞來做出合格與否的判斷。
波形圖中的產(chǎn)品是ROHM的IGBT RGS系列,最短的短路耐受時(shí)間為8μs。當(dāng)IGBT根據(jù)柵極信號(hào)導(dǎo)通(短路)時(shí),流過集電極電流,當(dāng)它在13.5μs后根據(jù)柵極信號(hào)關(guān)斷時(shí),集電極電流被切斷,這個(gè)IGBT并沒有損壞,這證明在這個(gè)測(cè)試條件下,這款I(lǐng)GBT能夠承受13.5μs的短路時(shí)間。當(dāng)然,8μs的保證值是有余量的。集電極電壓在短路和關(guān)斷后會(huì)在短時(shí)間內(nèi)下降或上升,這取決于電容器到IGBT的集電極引腳之間的寄生電感的充電或放電,之后集電極電壓會(huì)恢復(fù)至VCC。受發(fā)熱的影響,集電極電流會(huì)隨著時(shí)間的經(jīng)過而減少。
如果在短路過程中IGBT損壞,基本上初期會(huì)發(fā)生短路故障,所以電流會(huì)幾乎沒有限制地持續(xù)流過IGBT,集電極電壓=VCC將下降到幾乎接地水平。當(dāng)然,即使向柵極發(fā)送關(guān)斷信號(hào),也不會(huì)關(guān)斷IGBT并切斷集電極電流。在試驗(yàn)或評(píng)估過程中IGBT損壞的情況下,如果不及時(shí)切斷電流,可能會(huì)因過電流而發(fā)熱,甚至冒煙,在某些情況下還可能會(huì)起火,很危險(xiǎn)。因此,必須采取足夠的安全對(duì)策,比如為VCC(電源)設(shè)置適當(dāng)?shù)碾娏飨拗啤?/p>
短路耐受時(shí)間的重要性
短路耐受時(shí)間是保護(hù)功率元器件、外圍電路和所連接元器件的重要參數(shù)。使用功率元器件的電路中通常都配有針對(duì)過電流等風(fēng)險(xiǎn)的保護(hù)電路。當(dāng)功率元器件處于短路狀態(tài)時(shí),保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)出這種狀態(tài)并執(zhí)行保護(hù)工作,但是從檢測(cè)出來到啟動(dòng)保護(hù)工作之間需要MCU系統(tǒng)處理等時(shí)間,如果這個(gè)時(shí)間足夠長,就可以進(jìn)行切實(shí)可靠的處理。也就是說,短路耐受時(shí)間是確保系統(tǒng)保護(hù)功能所需的時(shí)間,該時(shí)間越長,系統(tǒng)處理的余量就越大,從而有助于提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。
綜上所述,短路耐受時(shí)間是一項(xiàng)重要的特性,但并非所有的功率元器件都提供或保證該值。根據(jù)等級(jí)和應(yīng)用的不同,有些產(chǎn)品沒有提供,有些提供了但只是典型值(Typ.),并不是保證值,還有些則明確提供了保證值,所以在使用前需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格書。
此外,短路耐受時(shí)間越長越有優(yōu)勢(shì),但保證值會(huì)因制造商和產(chǎn)品系列而異。比如前面提到的IGBT RGS系列,保證值為8μs(最小值),而另一個(gè)RGT系列的保證值則為5μs(最小值)。另外,由于VCC和溫度條件各不相同,因此不僅要確認(rèn)值,還要確認(rèn)條件,這點(diǎn)也很重要。作為實(shí)例,請(qǐng)來確認(rèn)一下這些IGBT的技術(shù)規(guī)格書。參數(shù)名稱:短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time),符號(hào):用tSC表示條件和保證值。
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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體IGBT的短路耐受時(shí)間(SCWT)的詳解---基礎(chǔ)篇(20);
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