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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件(semiconductor device)通常,利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外,還有一些特殊器件,如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,可控硅可用于各種大電流的控制電路,電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中,主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展,微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,工作頻率不斷提高,而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C(U3)I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。
半導(dǎo)體器件(semiconductor device)通常,利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外,還有一些特殊器件,如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,可控硅可用于各種大電流的控制電路,電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中,主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展,微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,工作頻率不斷提高,而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C(U3)I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
分類
晶體二極管
晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處,由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端(P型半導(dǎo)體那邊)接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí),空穴和電子都向偶極層流動(dòng)而使偶極層變薄,電流很快上升。如果把電源的方向反過來接,則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚,同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此,PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外,PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用,這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí),偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有:整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管(曾訥二極管)、崩越二極管(碰撞雪崩渡越二極管)和俘越二極管(俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管)等。此外,還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管,以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。
雙極型晶體管
它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個(gè)稱為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時(shí),發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)?。在共發(fā)射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
它依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻(簡稱場(chǎng)效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。
根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種:
①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極);
②MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬-絕緣體-半導(dǎo)體系統(tǒng));
?、跰ES場(chǎng)效應(yīng)管(用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極);其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。
在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息,控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通??梢杂米餮舆t線和存儲(chǔ)器等;配上光電二極管列陣,可用作攝像管。
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)...
2018-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻機(jī)半導(dǎo)體芯片 16.6萬 0
不同的電路圖可以使用不同的符號(hào)和標(biāo)記方式來表示LED的正負(fù)極性。因此,在閱讀特定電路圖時(shí),最好查閱相關(guān)的說明文檔或標(biāo)注,以確保正確地理解LED的正反極性...
如果我們將一個(gè)變化的小信號(hào)加到基極跟發(fā)射極之間,這就會(huì)引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導(dǎo)致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個(gè)電阻...
2018-05-07 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件 2.7萬 0
電阻也會(huì)有靜電能力?電阻會(huì)被靜電打壞嗎?
以±8kV的人體模型為例:靜電放電時(shí)間在ns級(jí)別,具體參考圖1。而下圖2中電阻的脈沖功率給出的時(shí)間參數(shù)最小是1us(10-6),差別不是特別大,在此可近...
2018-09-10 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體器件 2.7萬 0
在使用繼電器時(shí),由于實(shí)際電路的電壓或使用環(huán)境有可能會(huì)產(chǎn)生波動(dòng),導(dǎo)致施加到繼電器線圈兩端的電壓也可能會(huì)產(chǎn)生波動(dòng), 為了不影響繼電器的正常使用,則規(guī)定了繼電...
2019-04-18 標(biāo)簽:繼電器發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2.4萬 0
晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實(shí)現(xiàn)呢?
晶閘管導(dǎo)通條件:門極G加觸發(fā)信號(hào),主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩...
2023-12-30 標(biāo)簽:電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.0萬 0
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 1.9萬 0
VCSEL的基本結(jié)構(gòu) VCSEL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
VCSEL是一種半導(dǎo)體器件,其激光垂直于頂面射出,與一般切開式獨(dú)立芯片工藝,激光由邊緣射出的邊射型激光不同。
2022-06-09 標(biāo)簽:VCSEL激光雷達(dá)半導(dǎo)體器件 1.9萬 0
太陽電池組件的輸出是隨太陽輻射強(qiáng)度和太陽電池組件自身溫度(芯片溫度)而變化的。另外由于太陽電池組件具有電壓隨電流增大而下降的特性,因此存在能獲取最大功率...
2019-08-26 標(biāo)簽:逆變器交流電半導(dǎo)體器件 1.9萬 0
類別:電子教材 2016-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件
類別:電子書籍 2012-04-25 標(biāo)簽:MOS雙極型半導(dǎo)體器件
類別:電子書籍 2017-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件
類別:電子教材 2021-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件
類別:課件下載 2022-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件
類別:電子元器件應(yīng)用 2011-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件自測(cè)題
類別:電子資料 2022-10-10 標(biāo)簽:SMD半導(dǎo)體器件
現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理_電子圖書下載立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件
項(xiàng)目1-半導(dǎo)體器件的識(shí)別與檢測(cè)(陳振源)立即下載
類別:課件下載 2017-08-21 標(biāo)簽:晶體二極管半導(dǎo)體器件
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造
國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要公司及主要產(chǎn)品
IGBT作為能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)。被大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)...
2018-04-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT半導(dǎo)體器件 12.1萬 0
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數(shù)資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號(hào)晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號(hào)的應(yīng)用范圍很廣,人們家庭中的小家...
2021-11-12 標(biāo)簽:三極管晶體管半導(dǎo)體器件 5.3萬 0
MOSFET的簡述及工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析
MOSFET是具有源極(Source),柵極(Gate),漏極(Drain)和主體(Body)端子的四端子設(shè)備。通常,MOSFET的主體與源極端子連接,...
三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。 三極...
2021-10-02 標(biāo)簽:三極管晶體半導(dǎo)體器件 3.0萬 0
本文首先闡述了晶體管的用途及重要性,另外還分析了晶體管的三個(gè)工作區(qū)。
2020-03-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 2.3萬 0
關(guān)于IGBT芯片的簡介與發(fā)展方向及應(yīng)用領(lǐng)域
芯片的種類五花八門,今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
2021-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件igbt芯片 1.8萬 0
盤點(diǎn)Power Tester功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備的九大優(yōu)勢(shì)
Power Tester帶兩套軟件,一套是PowerTester Post processing tool后處理軟件,一套是T3Ster Master軟...
2022-12-02 標(biāo)簽:Power智能化半導(dǎo)體器件 1.7萬 0
穩(wěn)壓二極管是一種到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,用于穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。 ?...
2021-08-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管電壓半導(dǎo)體器件 1.7萬 0
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以...
2020-08-27 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.1萬 0
IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
2021-03-05 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.1萬 0
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