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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標(biāo)不可用，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發(fā)展，功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...
2024-12-07 標(biāo)簽：封裝功率器件半導(dǎo)體材料 292 0
新進(jìn)展 化合積電攜手廈大團(tuán)隊(duì)攻關(guān)單晶金剛石薄膜異質(zhì)外延生長技術(shù)突破性進(jìn)展綜述
來源：化合積電 近日，廈門大學(xué)張洪良教授課題組和化合積電在Electron發(fā)表了題為 “Recent progress on heteroepitaxi...
2024-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 215 0
1. 三極管的基本結(jié)構(gòu) 三極管主要由三個(gè)部分組成：發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。在NPN型三極管中，發(fā)射極和...
2024-11-01 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體材料集電極 604 0
基于電阻的溫度傳感器，即電阻式溫度傳感器（RTD，Resistance Temperature Detector），其原理是利用導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的電阻值...
2024-10-31 標(biāo)簽：電阻溫度傳感器半導(dǎo)體材料 309 0
半導(dǎo)體二極管是一種由半導(dǎo)體材料制成的電子元件，具有單向?qū)щ娦?。這種特性使得二極管在電子電路中扮演著重要的角色，如整流、開關(guān)、信號調(diào)制等。 半導(dǎo)體二極管的...
2024-10-15 標(biāo)簽：電流電子元件半導(dǎo)體材料 775 0
霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的傳感器，它能夠?qū)⒋艌龅淖兓D(zhuǎn)換為電壓信號?；魻栃?yīng)是指當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場中時(shí)，會(huì)在導(dǎo)體的兩側(cè)產(chǎn)生一...
2024-10-15 標(biāo)簽：霍爾傳感器輸出電壓半導(dǎo)體材料 901 0
霍爾效應(yīng)是一種電磁現(xiàn)象，它描述了當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場中時(shí)，會(huì)在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生電壓差。這個(gè)電壓差被稱為霍爾電壓，而這種...
2024-10-15 標(biāo)簽：磁場半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 959 0
霍爾效應(yīng)是一種電磁現(xiàn)象，當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場中時(shí)，會(huì)在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生電壓差，這個(gè)電壓差稱為霍爾電壓。 一、霍爾效應(yīng)的...
2024-10-15 標(biāo)簽：磁場半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 929 0
是的，光敏電阻的阻值會(huì)隨著光照強(qiáng)度的增強(qiáng)而減小 。 光敏電阻是一種特殊的電阻器，通常由半導(dǎo)體材料（如硫化鎘、硒化鎘或硅等）制成。它的工作原理基于半導(dǎo)體的...
2024-10-12 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料光電效應(yīng) 855 0
光敏電阻是一種特殊的電阻器，其電阻值會(huì)隨著光照強(qiáng)度的變化而變化。這種電阻器通常由半導(dǎo)體材料制成，如硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）或硒化鉛（PbSe...
2024-10-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)光敏電阻 428 0
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件立即下載
類別：無線通信 2017-11-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料sicgan
氧化物無機(jī)半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)及其應(yīng)用立即下載
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)
現(xiàn)代表面分析技術(shù)在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用立即下載
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料中自旋極化的光學(xué)注入與探測立即下載
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光學(xué)注入
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料系列的制造方法及應(yīng)用技術(shù)立即下載
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC
NTC熱敏電阻的工作原理 NTC熱敏電阻的應(yīng)用領(lǐng)域
NTC熱敏電阻的工作原理 材料特性 ：NTC熱敏電阻主要由半導(dǎo)體材料制成，如氧化錳、氧化鎳、氧化銅等。這些材料的導(dǎo)電性會(huì)隨著溫度的變化而變化。 電阻變化...
2024-12-17 標(biāo)簽：熱敏電阻NTC半導(dǎo)體材料 414 0
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
近日，安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃，以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司Unit...
2024-12-11 標(biāo)簽：安森美JFET半導(dǎo)體材料 135 0
β 相氧化鎵（β-Ga2O3）具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場和容易制備等優(yōu)勢，是功率器件的理想半導(dǎo)體材料。但由于 β-Ga2O3價(jià)帶頂能級位置低、能帶色...
2024-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料導(dǎo)電 248 0
光伏是光生伏特效應(yīng)的簡稱，而光伏發(fā)電則是利用這一效應(yīng)將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N發(fā)電方式。以下是關(guān)于光伏原理和光伏發(fā)電基本概念的介紹： 一、光伏原理 光伏...
2024-12-05 標(biāo)簽：光伏光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 499 0
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成...
晶體管基本原理與工作機(jī)制 晶體管的發(fā)明標(biāo)志著電子技術(shù)的重大突破，它使得電子設(shè)備小型化、集成化成為可能。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。 1....
電阻率隨溫度變化而變化的原因主要涉及到材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)和電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的變化。以下是對這一現(xiàn)象的介紹： 一、金屬導(dǎo)體 對于金屬導(dǎo)體而言，電阻率隨溫度變化的...
2024-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬電阻率 515 0
電阻率對電力傳輸?shù)挠绊?電阻率在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電子技術(shù)中，電阻率是一個(gè)不可忽視的物理參數(shù)。它不僅影響著電力傳輸?shù)男?，而且在半?dǎo)體材料的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中扮演著核心角色。 一、電阻率對電力傳輸?shù)挠绊?..
2024-12-02 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體材料電阻率 244 0
隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能，正逐漸成為電子器件領(lǐng)域的重要材...
2024-11-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電子器件半導(dǎo)體材料 191 0
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...
2024-11-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 932 0
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