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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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NTC熱敏電阻的工作原理 NTC熱敏電阻的應(yīng)用領(lǐng)域
NTC熱敏電阻的工作原理 材料特性 :NTC熱敏電阻主要由半導(dǎo)體材料制成,如氧化錳、氧化鎳、氧化銅等。這些材料的導(dǎo)電性會隨著溫度的變化而變化。 電阻變化...
2024-12-17 標(biāo)簽:熱敏電阻NTC半導(dǎo)體材料 419 0
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司Unit...
2024-12-11 標(biāo)簽:安森美JFET半導(dǎo)體材料 137 0
β 相氧化鎵(β-Ga2O3)具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場和容易制備等優(yōu)勢,是功率器件的理想半導(dǎo)體材料。但由于 β-Ga2O3價帶頂能級位置低、能帶色...
2024-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料導(dǎo)電 251 0
光伏是光生伏特效應(yīng)的簡稱,而光伏發(fā)電則是利用這一效應(yīng)將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N發(fā)電方式。以下是關(guān)于光伏原理和光伏發(fā)電基本概念的介紹: 一、光伏原理 光伏...
2024-12-05 標(biāo)簽:光伏光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 500 0
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成...
晶體管基本原理與工作機制 晶體管的發(fā)明標(biāo)志著電子技術(shù)的重大突破,它使得電子設(shè)備小型化、集成化成為可能。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。 1....
電阻率隨溫度變化而變化的原因主要涉及到材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)和電子運動狀態(tài)的變化。以下是對這一現(xiàn)象的介紹: 一、金屬導(dǎo)體 對于金屬導(dǎo)體而言,電阻率隨溫度變化的...
2024-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金屬電阻率 522 0
電阻率對電力傳輸?shù)挠绊?電阻率在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,電阻率是一個不可忽視的物理參數(shù)。它不僅影響著電力傳輸?shù)男剩以诎雽?dǎo)體材料的設(shè)計和應(yīng)用中扮演著核心角色。 一、電阻率對電力傳輸?shù)挠绊?..
2024-12-02 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體材料電阻率 246 0
隨著科技的不斷進步,半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能,正逐漸成為電子器件領(lǐng)域的重要材...
2024-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電子器件半導(dǎo)體材料 192 0
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...
2024-11-29 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 934 0
Micro USB接口在使用中應(yīng)避免以下幾個誤區(qū): 一、插拔不當(dāng) 暴力插拔 :避免直接用手扯著連接插頭的電線拉扯或用力拔出。這種暴力的插拔方式可能導(dǎo)致M...
碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點...
2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 414 0
隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅(SiC)作為...
2024-11-25 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料SiC 517 0
隨著全球能源危機的加劇和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重,尋找清潔、可再生的能源成為了人類面臨的緊迫任務(wù)。太陽能作為一種清潔、無污染的能源,其開發(fā)和利用受到了廣泛...
2024-11-25 標(biāo)簽:太陽能電池半導(dǎo)體材料光電效應(yīng) 472 0
作為產(chǎn)業(yè)上游關(guān)鍵,國產(chǎn)半導(dǎo)體材料進展如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2023年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為146億元,同比增長12%;2016-2023年復(fù)合增長率為10%,高于同...
2024-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2220 0
作為產(chǎn)業(yè)上游關(guān)鍵,國產(chǎn)半導(dǎo)體材料進展如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2023年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為146億元,同比增長12%;2016-2023年復(fù)合增長率為10%,高于同...
2024-10-12 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體設(shè)備 1326 0
杭州晶馳機電科技有限公司(簡稱“晶馳機電”)近日宣布成功完成數(shù)千萬首輪融資。本輪融資由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司(正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金)領(lǐng)投。
2024-10-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料機電 688 0
2D多鰭FETs的高密度集成,搭臺引導(dǎo)外延的科技突破!
來源:科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進,傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管(FETs)不斷縮小,這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而,...
2024-09-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 265 0
東海炭素斥資約2.6億,加速SiC晶圓材料商業(yè)化進程
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來新一輪技術(shù)革新與市場需求激增的背景下,東海炭素株式會社(以下簡稱“東海炭素”)近期宣布了一項雄心勃勃的投資計劃,旨在通過建設(shè)多晶碳化...
2024-08-06 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體材料碳化硅 527 0
在近期的慕尼黑上海電子展上,YoleGroup的分析師邱柏順深入剖析了全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)市場的發(fā)展趨勢,提供了對未來電力電子行業(yè)的深...
2024-07-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiCGaN 384 0
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