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      標(biāo)簽　>　場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      +關(guān)注6人關(guān)注

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

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      2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 457 0

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      2024-10-07 標(biāo)簽：JFET柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 517 0

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管帖子

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      英飛凌IPD50N10S3L-16：高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)

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      概述： 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1kV（SiC：2kV），具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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