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標(biāo)簽 > 寬帶隙器件

寬帶隙器件

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寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節(jié)約有很大的影響。

文章: 14
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寬帶隙器件簡介

  寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節(jié)約有很大的影響。

  WBG具有顯著優(yōu)勢,例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀以了解有關(guān)基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用的更多信息。

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寬帶隙器件知識

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寬帶隙器件技術(shù)

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進展

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計者的終極目標(biāo)是以最高效率將來自配電系統(tǒng)(公用事業(yè)AC或DC匯流排)電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4296 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?

集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個不斷增長的市場,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...

2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2047 0

寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體

2022-12-22 標(biāo)簽:光電子寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 1021 0

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寬帶隙器件資料下載

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寬帶隙器件資訊

寬帶隙器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節(jié)約有很大的影...

2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2157 0

寬帶隙技術(shù)對電源轉(zhuǎn)換器的好處

寬帶隙技術(shù)對電源轉(zhuǎn)換器的好處

眾所周知,與硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更高的工...

2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換器寬帶隙器件 1988 0

物聯(lián)網(wǎng)推動電源效率提高 實現(xiàn)超高電源效率和超低功耗

由于互聯(lián)無處不在,人們對更高效率的需求一直在呈指數(shù)級增長。隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的興起,越來越多的設(shè)備實現(xiàn)了無線聯(lián)網(wǎng),數(shù)量龐大的物聯(lián)網(wǎng)傳感器和器件需要一直...

2018-03-05 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)功率半導(dǎo)體寬帶隙器件 1124 0

寬帶隙半導(dǎo)體:到電動汽車及以后

寬帶隙半導(dǎo)體:到電動汽車及以后

在電力電子領(lǐng)域,硅在過去的 40 年中已成為主流技術(shù);今天,硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍,以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽:電動汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 889 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進行設(shè)計需要一些額外的專業(yè)知識

使用 WBG 半導(dǎo)體進行設(shè)計需要一些額外的專業(yè)知識

電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西,但是從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,就需要多注意這些問題了

2022-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 858 0

理想封裝設(shè)計的碳化硅陶瓷基板及寬帶隙器件

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? ? ? 針對要求最嚴(yán)苛的功率開關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢,從而引入改進的半導(dǎo)體器件。即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙類型,將顯...

2022-11-16 標(biāo)簽:封裝陶瓷基板寬帶隙器件 805 0

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價值

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價值

寬帶隙(WBG)開關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用,這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。

2020-04-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換寬帶隙器件 723 0

寬帶隙器件對于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

寬帶隙器件對于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

 長期以來,硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始,由于摩爾定律的失敗,復(fù)合材料被開發(fā)出來,特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體,因為它們利用了重要的...

2022-09-11 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 593 0

GaN晶體管的優(yōu)點是什么?ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件

如今,開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升,如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能,同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發(fā)現(xiàn),氮化鎵...

2023-08-03 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 384 0

Nexperia與科世達達成合作 共同推進汽車應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)

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近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Nexperia宣布與知名汽車供應(yīng)商科世達(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作將專注于開發(fā)和生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格規(guī)范...

2024-11-06 標(biāo)簽:Nexperia科世達寬帶隙器件 316 0

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寬帶隙器件數(shù)據(jù)手冊

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話,主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)(步進和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    無線供電,是一種方便安全的新技術(shù),無需任何物理上的連接,電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無線供電。
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    Pebble,是一家智能手表廠商。2015年2 月底,智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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