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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時,使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1126 0
線性穩(wěn)壓器有哪些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?開關(guān)頻率如何影響穩(wěn)壓器設(shè)計?
穩(wěn)壓電源(stabilized voltage supply)是能為負(fù)載提供穩(wěn)定的交流電或直流電的電子裝置,包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源線性穩(wěn)壓器 714 0
采用MP188XX隔離式柵極驅(qū)動器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)
電源對5G 通信、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統(tǒng)至關(guān)重要。 與此同時,所有這些電源系統(tǒng)都需要一個隔離式柵極驅(qū)動器來高效、可靠...
2023-08-02 標(biāo)簽:led電源系統(tǒng)柵極驅(qū)動器 709 0
通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題:驅(qū)動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門的驅(qū)動器,不僅增加了設(shè)計復(fù)雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
由于這些不同的產(chǎn)品和策略都可以降低運動控制應(yīng)用中的可聞噪聲,因此可能很難確定哪種策略更適合您的應(yīng)用。在本文中,我將以 BLDC集成控制柵極驅(qū)動器為例,列...
BLDC電機的結(jié)構(gòu)和控制及其三種換向方法
三相永磁無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機控制需要一個電子換向電路,而傳統(tǒng)的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同,BLDC電機沒有電...
為什么需要柵極驅(qū)動器,柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動,而放電則會使器件關(guān)斷,...
柵極驅(qū)動器電流多少正常啊,柵極驅(qū)動器電流怎么計算
柵極驅(qū)動器是一種電子器件,它能夠?qū)⑿盘栯娖阶鳛檩斎?,通過放大和轉(zhuǎn)換等過程,產(chǎn)生適合于驅(qū)動下級器件的電源信號。柵極驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器...
德州儀器通過聯(lián)鎖柵極驅(qū)動器來提高三相逆變器的魯棒性
變頻驅(qū)動器(VFD)是工業(yè)自動化機械的重要組成部分。它們能夠高效地驅(qū)動泵、風(fēng)扇、傳送帶、計算機數(shù)控機床和機器人自動化解決方案,有助于降低工廠的總能耗。若...
隔離用戶及敏感電子部件是電機控制系統(tǒng)的重要考慮事項。安全隔離用于保護(hù)用戶免受有害電壓影響,功能隔離則專門用來保護(hù)設(shè)備和器件。
2023-07-24 標(biāo)簽:電機控制系統(tǒng)柵極驅(qū)動器工業(yè)電機 703 0
在柵極驅(qū)動器IC方面取得的進(jìn)步讓開關(guān)電源實現(xiàn)新的功率密度水平
經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動器 IC 輸出級和封裝的多項創(chuàng)新
2023-07-08 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源柵極驅(qū)動器 566 0
基于柵極驅(qū)動、運放的家用空調(diào)電源解決方案
增加抖頻功能,工作頻率從 94%Fsw 到 106%Fsw 之間來回平滑變化,從而降低倍數(shù)工作頻率點的電場和漏磁峰值輻射能量。
2023-06-20 標(biāo)簽:emc電源系統(tǒng)柵極驅(qū)動器 1019 0
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 483 0
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必...
大電流單通道柵極驅(qū)動器NCD(V)5700x使用外部BJT緩沖器實現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 上篇 中我們介紹了NCD(V)5700x...
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