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標簽 > 氮化鋁基板
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氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異
氮化鋁具有較高的熱導性,比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導熱量。
大功率LED熱傳導主要途徑是:PN結(jié)——外延層——封裝基板——外殼——空氣,所以封裝基板的選擇對LED散熱至關(guān)重要。
氮化鋁的導熱率較高,室溫時理論導熱率最高可達320W/(m·K),是氧化鋁陶瓷的8~10倍,實際生產(chǎn)的熱導率也可高達200W/(m·K),有利于LED中...
40多年來,設(shè)計和制造傳統(tǒng)混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機械強度、電阻率和熱性能。然而,在過去幾年中,我們經(jīng)歷了混合技術(shù)向具...
氮化鋁除了是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料,還可用于熱交換器、坩堝、保護管、澆注模具、半導體靜電卡盤、壓電陶瓷及薄膜、導熱填料等。
日本旭化成氮化鋁基板技術(shù)突破:邁向更大面積與實用化
在全球半導體科技日新月異的大背景下,日本旭化成株式會社在功率半導體等應用領(lǐng)域取得了令人矚目的技術(shù)突破。該公司近日宣布,其氮化鋁基板技術(shù)已實現(xiàn)了可使用面積...
近日,日本化工企業(yè)旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁(AlN)襯底,展示了公...
旭化成旗下Crystal IS宣布生產(chǎn)4英寸氮化鋁單晶襯底
氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率,對uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的...
功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展至今,可供選用的散熱基板主要有環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板等。
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