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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評(píng)測(cè)氮化鎵芯片

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2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2585 0

用氮化鎵消除激光雷達(dá)的障礙

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【全套國(guó)產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)

對(duì)亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)進(jìn)行溫升測(cè)試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以功率持續(xù)輸出1小時(shí)，測(cè)得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點(diǎn)出現(xiàn)在變...

2021-04-02 標(biāo)簽：微控制器 pcb 氮化鎵 3071 0

GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET

選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品，可以讓客戶提高整機(jī)效率，并且溫度也隨之下降，效率提升之外，整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。

2021-03-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS管氮化鎵 3366 0

通過(guò)100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案

在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過(guò)采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來(lái)滿足高開關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。

2021-03-23 標(biāo)簽：通信技術(shù)晶體管氮化鎵 3335 0

納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒(méi)有體二極管？

2021-03-15 標(biāo)簽：二極管氮化鎵 GaN 9731 0

詳談氮化鎵充電器的發(fā)展趨勢(shì)及現(xiàn)狀

氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快...

2021-02-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充技術(shù) 3447 0

拆解報(bào)告：SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C

SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產(chǎn)品更為精致，也可以方便用戶后續(xù)收納使用。

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功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場(chǎng)上出現(xiàn)了許多趨勢(shì)，這些市場(chǎng)朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...

2021-03-16 標(biāo)簽：雙極晶體管氮化鎵 7177 0

小米33W氮化鎵充電器詳細(xì)內(nèi)部拆解案例

接下來(lái)就直接開始拆解。將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。將模塊取出，充電器采用接觸式通電設(shè)計(jì)，插腳和金屬?gòu)椘瑝航印?使用游標(biāo)...

2021-03-17 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 1.7萬(wàn) 0

為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用

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2021-03-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 5761 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長(zhǎng)

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢(shì)。GaN還是高能效...

2021-04-04 標(biāo)簽：led SiC 氮化鎵 1601 0

高功率密度AC/DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案

傳統(tǒng)的電源轉(zhuǎn)換解決方案通過(guò)增加開關(guān)頻率以允許使用更小的變壓器來(lái)減小電源的尺寸。

2021-03-27 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3219 0

基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D LED技術(shù)

Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來(lái)，開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...

2021-03-30 標(biāo)簽：led 顯示器氮化鎵 3215 0

基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

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基于MinE-CAP的電源轉(zhuǎn)換解決方案

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2021-04-07 標(biāo)簽：電容器晶體管氮化鎵 2467 0

基于GaN的D類放大器設(shè)計(jì)

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2021-05-17 標(biāo)簽：mcu 氮化鎵碳化硅 3101 0

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