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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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許多廠商都提供了門驅(qū)動芯片，這些芯片是十分有價值的，允許用戶為選定的GaN器件、轉(zhuǎn)換速度和其他因素進行調(diào)節(jié)。在這些驅(qū)動芯片中，來自TI的LMG1205可...
GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測，到2019年Ga...
氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通...
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復原性和可維修性，電源內(nèi)部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器防水...
氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配...
氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
基于GaN的開關(guān)器件驅(qū)動是關(guān)鍵要素
輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關(guān)重要...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
歐盟制定了一個雄心勃勃的目標，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實現(xiàn)該目標，汽車行業(yè)的貢獻將非常重要。美國企業(yè)平均燃油經(jīng)濟性（CAF...
氮化鎵充電器的優(yōu)勢 氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別
與普通半導體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢。
氮化鎵 (GaN) 技術(shù)：屬性、優(yōu)點、不同制造工藝及最新進展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術(shù)驅(qū)...
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設(shè)計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題，快...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術(shù)驅(qū)...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡介以及其特點和優(yōu)勢分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)...
氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...
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