砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 6811 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6726 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 6647 0

氮化鎵mos管的優(yōu)缺點有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點和局限性。 優(yōu)...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 6204 0

氮化鎵充電器和普通充電器對比哪個好

氮化鎵充電器和普通充電器對比各有優(yōu)勢，不能直接判定哪個更好，氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們在充電速度、安全性、穩(wěn)定性等方面都存在差異...

2024-01-10 標(biāo)簽：電流充電器氮化鎵 6120 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6078 0

氮化鎵是什么晶體,是離子晶體還是原子晶體

氮化鎵是一種化合物，化學(xué)式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性...

2024-01-10 標(biāo)簽：晶體電子器件半導(dǎo)體材料 6052 0

在氮化鎵技術(shù)中，熱設(shè)計與電氣設(shè)計同等重要

為管理今天的熱設(shè)計，電路設(shè)計人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設(shè)計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因為...

2018-01-04 標(biāo)簽：氮化鎵電氣設(shè)計熱設(shè)計 5911 0

氮化鎵基礎(chǔ)知識

氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。

2022-08-24 標(biāo)簽：放大器射頻氮化鎵 5781 0

為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用

對于服務(wù)器，這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC，而對于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負(fù)...

2021-03-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 5761 0

移動通信標(biāo)準(zhǔn)5G開發(fā)基于氮化鎵（GaN）的經(jīng)濟高效的高性能技術(shù)

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫，基站技術(shù)需要滿足兩個標(biāo)準(zhǔn)：輸出功率需要提高，同時保持...

2018-09-20 標(biāo)簽：移動通信氮化鎵5G 5609 0