廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽：激光器氮化鎵VCSEL 789 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1559 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.0萬 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵GaN 682 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 5037 0

預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路

基于D1A32 GaN器件設(shè)計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標(biāo)簽：雷達氮化鎵GaN 516 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評測

PFC開關(guān)管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

2023-10-31 標(biāo)簽：充電器DC-DC氮化鎵 1824 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標(biāo)簽：寬帶氮化鎵GaN 1583 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細的拆解報告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 990 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1427 0

氮化鎵晶體管簡化大電流電機驅(qū)動逆變器設(shè)計

叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產(chǎn)商都有一個平臺方法，并銷售按電...

2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機驅(qū)動 1483 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運行，實現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55...

2023-10-16 標(biāo)簽：衰減器氮化鎵PFC電路 2286 0

氮化鎵能實現(xiàn)多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設(shè)計...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動器FET 712 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 2383 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 489 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 4051 1

為什么LED能夠發(fā)出不同顏色的光

LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優(yōu)點，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...

2023-09-27 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 2599 0

干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 809 0