耐高溫高導(dǎo)熱高絕緣低介電聚酰亞胺PI膜特性用途及知名品牌

耐高溫導(dǎo)熱聚酰亞胺薄膜，作為一種高性能材料，具有一系列獨特的特性和廣泛的用途。以下是對其特性和用途的詳細(xì)闡述：一、特性耐高溫性：聚酰亞胺薄膜具有極高的熱...

2024-12-11 標(biāo)簽：薄膜電子元件 289 0

薄膜電容的厲害之處

薄膜電容，是電子元件中一類重要的電容器，以一層或多層很薄的絕緣塑料薄膜為介質(zhì)，兩側(cè)蒸鍍金屬層作為電極而制成的電容器。 薄膜電容在電子、家電、通訊、電力...

2024-12-10 標(biāo)簽：電路薄膜電容 157 0

薄膜電容表面有劃痕正常嗎？

薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。 薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定...

2024-11-21 標(biāo)簽：薄膜電容電子 159 0

點光譜共焦測厚系統(tǒng)：薄膜厚度測量的創(chuàng)新利器

光譜共焦傳感器不受薄膜材料光學(xué)特性的過多干擾，無論是透明薄膜還是具有一定吸光性的薄膜，都可以進行有效的測量。

2024-11-13 標(biāo)簽：傳感器薄膜光測量 232 0

不同頻率的薄膜電容

薄膜電容是以金屬箔為電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜制成的電容器。 因有無極性、耐壓高、溫度特性好、絕緣阻抗高、頻率特性好等優(yōu)...

2024-11-07 標(biāo)簽：薄膜電容頻率 244 0

黃色外殼的薄膜電容和安規(guī)X電容是同一種電容嗎？

黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容，薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì)，不需要安規(guī)認(rèn)證；安規(guī)X電容用于抗干擾，需強制安規(guī)認(rèn)證，獲得安規(guī)認(rèn)證...

2024-10-28 標(biāo)簽：薄膜電容X電容 254 0

薄膜電容的厚度

薄膜電容在電子設(shè)備中重要，由金屬電極和介質(zhì)塑料薄膜材料構(gòu)成，薄膜電容的薄膜厚度影響性能，選購需根據(jù)應(yīng)用場合和參數(shù)挑選的薄膜電容。

2024-10-10 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 370 0

了解薄膜電容的損耗

薄膜電容作為電子元器件，廣泛用于電路系統(tǒng)，在使用過程中存在損耗問題，損耗影響電容性能，且對電路系統(tǒng)穩(wěn)定性不利。損耗越小越好。

2024-09-25 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 281 0

不同厚度的ITO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能對光伏電池的影響

ITO由于其高透過率和導(dǎo)電性，已廣泛應(yīng)用于太陽能電池領(lǐng)域。ITO薄膜的厚度對其光學(xué)性能有顯著影響，隨著膜厚增加，近紅外區(qū)域的透過率下降，反射率在波長高于...

2024-09-21 標(biāo)簽：薄膜光伏電池ITO 464 0

薄膜電容出現(xiàn)問題帶來的影響，你家電器中了幾條？

薄膜電容在電子設(shè)備中作用關(guān)鍵，但易損壞。損壞后會導(dǎo)致電路性能下降、設(shè)備發(fā)熱異常、信號失真與干擾及電子設(shè)備頻繁重啟，影響電子產(chǎn)品運行和使用體驗。因此在使用...

2024-09-13 標(biāo)簽：薄膜電容電子 313 0

Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜

納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內(nèi)的應(yīng)用材料，是納米晶粒在二維平面內(nèi)按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級...

2024-12-20 標(biāo)簽：薄膜功率放大器 70 0

一文解析納米級針孔缺陷的性能研究

文章鏈接：https://doi.org/10.1063/5.0172805 ? 摘要 薄(100nm厚)疏水聚合物薄膜被用于許多需要防水的應(yīng)用。然而,...

2024-12-03 標(biāo)簽：薄膜納米函數(shù) 129 0

SiO2薄膜的刻蝕機理

本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機理。 干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？ 如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...

2024-12-02 標(biāo)簽：薄膜SiO2刻蝕 231 0

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對...

2024-11-29 標(biāo)簽：薄膜PECVD氮化硅 200 0

氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對可移動離子較強...

2024-11-24 標(biāo)簽：薄膜氮化硅 214 0

薄膜電容表面有劃痕正常嗎？

薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定性...

2024-11-21 標(biāo)簽：薄膜電容薄膜電容 138 0

深圳榮盛源誠摯相邀您共赴2024深圳國際薄膜與膠帶展

2024深圳國際薄膜與膠帶展（FILM & TAPE EXPO）將于2024年11月6-8日在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦，深圳市榮盛源科技...

2024-11-01 標(biāo)簽：靜電薄膜檢測 211 0