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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
冷光片,也稱為電致發(fā)光片(Electroluminescent Panel,簡(jiǎn)稱EL Panel),是一種利用電場(chǎng)激發(fā)熒光材料發(fā)光的顯示技術(shù)。它具有薄型...
為什么電源占空比會(huì)影響驅(qū)動(dòng)電壓
電源占空比對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的影響是一個(gè)復(fù)雜的電子技術(shù)問題,涉及到許多電子元件和電路設(shè)計(jì)的原理。 電源占空比的定義和作用 電源占空比是指在一定時(shí)間內(nèi),電源輸出的...
igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測(cè)量
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)量是一個(gè)專業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問題,涉及到電子電路、測(cè)量技術(shù)、焊接工藝等多個(gè)方面。 一、IGBT焊機(jī)概述 IGBT(Insulated...
igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個(gè)方面,它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中,我們將介紹IG...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT晶體管 1026 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 959 0
可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和B...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 2673 0
IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
2024-07-25 標(biāo)簽:發(fā)射極IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 1183 0
達(dá)林頓模塊(Darlington Module)是一種電子元件,通常用于功率放大器、驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)電路中。它由兩個(gè)或多個(gè)晶體管組成,具有較高的電流增益和電...
外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
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用6個(gè)NMOS + 3個(gè)驅(qū)動(dòng)IC來搭橋,低邊NMOS的G極驅(qū)動(dòng)電壓如果大于D極,是否會(huì)有問題?
標(biāo)簽:NMOS驅(qū)動(dòng)電壓 161 1
CX8838能做200W的電路設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源電路圖 2023-01-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)過溫保護(hù)驅(qū)動(dòng)電壓
激光誘導(dǎo)石墨烯基數(shù)字微流控平臺(tái),可用于低成本即時(shí)檢測(cè)
數(shù)字微流控(DMF)是一種新興的液體處理技術(shù),在各種生物和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用中顯示出廣闊的潛力。
2024-05-31 標(biāo)簽:微流控芯片驅(qū)動(dòng)電壓 836 0
驅(qū)動(dòng)電壓和電壓調(diào)節(jié)是二相步進(jìn)電機(jī)的精準(zhǔn)性能策劃
二相步進(jìn)電機(jī)的工作原理基于電流在兩個(gè)相位之間切換,從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的磁場(chǎng),驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。因此,驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電機(jī)的性能起著決定性的影響。驅(qū)動(dòng)電壓的高低不僅決定了...
2024-03-25 標(biāo)簽:機(jī)器人步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓 398 0
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證
3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用
近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品采用...
合工大研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近紅外窄帶光電探測(cè)器
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,合肥工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院先進(jìn)半導(dǎo)體器件與光電集成實(shí)驗(yàn)室的王莉副教授和羅林保教授團(tuán)隊(duì),成功研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近...
2024-01-11 標(biāo)簽:電流電壓光電探測(cè)器驅(qū)動(dòng)電壓 660 0
提升液晶透鏡成像質(zhì)量的方法:減少由液晶材料取向波動(dòng)引起的霧度
液晶(LC)透鏡的霧度一直是虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)及其它光學(xué)應(yīng)用中存在的問題,但是一項(xiàng)新的研究成果為工程師和研究人員增進(jìn)了對(duì)霧度產(chǎn)生的根本原...
2023-12-11 標(biāo)簽:機(jī)器視覺虛擬現(xiàn)實(shí)LCM 934 0
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通...
2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電壓 1745 0
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 1.9萬 0
寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種晶體管,它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
開關(guān)電源噪音解決方案 開關(guān)電源是一種能夠?qū)?00V-260V交流電轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的5V、12V、24V直流電的電子設(shè)備,這種電源通過高頻開關(guān)電路將輸入的電壓...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電解電容 5755 0
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