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標(biāo)簽 > 高速開(kāi)關(guān)
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前一篇介紹了三極管的基本特性和飽和狀態(tài),并引出了三極管開(kāi)關(guān)應(yīng)用,這次對(duì)三極管開(kāi)關(guān)做一個(gè)詳細(xì)的介紹。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路高速開(kāi)關(guān) 6083 0
小型高速開(kāi)關(guān)二極管1N4148在電路中的應(yīng)用
所有的電子電路中基本上都會(huì)用到二極管,它的特性也是非常之多,最主要就是單方向?qū)щ娦裕▎蜗驅(qū)щ娦缘膬筛_之間的電阻分為正向電阻和反向電阻兩種)。 人們利...
2023-05-24 標(biāo)簽:二極管參數(shù)開(kāi)關(guān)二極管 5963 0
肖特基二極管在某些場(chǎng)合中可以替代普通二極管,但在選擇二極管時(shí)需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求、電路性能和參數(shù)要求來(lái)進(jìn)行綜合考慮。
2023-08-04 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管高速開(kāi)關(guān) 4324 0
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開(kāi)關(guān) 1223 0
快恢復(fù)二極管因其快速恢復(fù)特性而在各種電子應(yīng)用中廣泛使用,與普通整流二極管相比,快恢復(fù)二極管具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其在電源轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)電路和高頻應(yīng)用中成為首...
2024-07-23 標(biāo)簽:二極管快恢復(fù)二極管高速開(kāi)關(guān) 510 0
為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車(chē)電源部應(yīng)用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、能帶隙和熱導(dǎo)率,電力電子設(shè)計(jì)人員可以利用這些特性來(lái)開(kāi)發(fā)比硅基IGBT器件效...
2023-12-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開(kāi)關(guān) 359 0
TSU8111具有單節(jié)充電器的雙路SP2T USB 2.0高速開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-07-10 標(biāo)簽:充電器usb高速開(kāi)關(guān) 113 0
BQ24392雙路SPST USB 2.0高速開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-07-10 標(biāo)簽:usbSPST高速開(kāi)關(guān) 111 0
大功率高速開(kāi)關(guān)集成電路組成的紅外水龍頭電路
這是一款由大功率高速開(kāi)關(guān)集成電路組成的紅外水龍頭電路。
2021-05-01 標(biāo)簽:集成電路熱水器高速開(kāi)關(guān) 1962 0
SL54122漏電高速開(kāi)關(guān)電路的應(yīng)用電路圖
SL54122是一塊用于各種低壓電器開(kāi)關(guān)的集成電路,它對(duì)電器設(shè)備,人體觸電,電器電路漏電,三相馬達(dá)斷相等起著有效的保護(hù)作用,廣泛用于各種
2010-10-22 標(biāo)簽:高速開(kāi)關(guān) 1813 0
IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)到底需不需要負(fù)壓?
IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件,只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān),在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化d...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高速開(kāi)關(guān)器件 1737 0
新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
新品用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,...
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET高速開(kāi)關(guān) 1015 0
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET高速開(kāi)關(guān)Rohm 998 0
森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT(型號(hào):KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 標(biāo)簽:IGBT高速開(kāi)關(guān)森國(guó)科 301 0
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