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標(biāo)簽 > CGD
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dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響有哪些?
①靜態(tài)dV/dt:會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯(cuò)誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開通。
由于存在物理學(xué)定律,電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無能為力,所以自熱離子真空管問世以來,電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪斫鉀Q這些問題。
2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1027 0
探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)和應(yīng)用
不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動(dòng)要求,這可能是使用 GaN 組件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。
2022-11-10 標(biāo)簽:CGDdcdc轉(zhuǎn)換器GaN器件 2724 0
CGD923 datasheet,pdf資料(870MHz,立即下載
類別:IC datasheet pdf 2010-03-25 標(biāo)簽:powerCGD 540 0
CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵
又到歲末年初時(shí),電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到了數(shù)十位國內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...
2023-12-26 標(biāo)簽:GaNCGD第三代半導(dǎo)體 2.2萬 0
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議
為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公...
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