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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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DDR4簡(jiǎn)介

　　DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

　　DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

DDR4百科

　　DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

　　數(shù)據(jù)規(guī)格

　　DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz，運(yùn)行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn)，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。

　　根據(jù)此前的規(guī)劃，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

　　三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”（虛擬開漏極）技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。

　　三星稱，2010年12月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進(jìn)行測(cè)試，并計(jì)劃與多家內(nèi)存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，預(yù)計(jì)2012年開始投入商用。

　　DDR3和DDR4性能差距有多大

　　DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，最高可達(dá)4266MHz。

　　儲(chǔ)存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲(chǔ)存空間，同時(shí)DDR4能夠搭載最多8個(gè)模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V而DDR4降至1.2V，移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗DDR4更降至1.1V。

　　DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps（256MB/s）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

　　默認(rèn)頻率DDR4 2133 CL15

　　DDR4 2133頻率下帶寬測(cè)試：48.4GB/s

　　DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量?jī)?nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會(huì)使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低。

　　總結(jié)：

　　1：DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2：DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz3：DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB4：DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低

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