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      標簽　>　GAA

      GAA

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      半導體工藝制程在進入32nm以下的節(jié)點后，每一步都歷盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導體技術(shù)路線的壽命。

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      GAA簡介

      　　半導體工藝制程在進入32nm以下的節(jié)點后，每一步都歷盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導體技術(shù)路線的壽命。

      　　目前臺積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，F(xiàn)inFET幾乎已經(jīng)達到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應，鰭片的寬度應該小于柵極長度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內(nèi)部應力的作用下維持直立形態(tài)。

      　　業(yè)內(nèi)各大廠商和著名的研究機構(gòu)都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環(huán)繞式柵極技術(shù)，簡稱為GAA橫向晶體管技術(shù)，也可以被稱為GAAFET。在應用了GAA技術(shù)后，業(yè)內(nèi)估計基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導體制造問題。

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      gaa技術(shù)

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      泛林集團的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis

      微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲單元）從來都不是容易的事情，但要想讓下一代先進邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實，就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當...

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      三星芯片代工新掌門：先進與成熟制程并重

      據(jù)韓媒報道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策...

      2024-12-10 標簽：芯片制程GAA 177 0

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      三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計等做出最大貢獻，促進中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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