SiGe

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sige技術(shù)

SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用

本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...

2024-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 SiGe 100 0

源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

與通過(guò)源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來(lái)提高NMOS 的速度類似，通過(guò)源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...

2024-07-26 標(biāo)簽：SiGe PMOS 晶格 1380 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過(guò)去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖 SiGe 360 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiGe 866 0

以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然...

2023-04-07 標(biāo)簽：SiGe adas 雷達(dá)系統(tǒng) 1597 0

用毫米波傳感器為汽車帶來(lái)高級(jí)視覺

相對(duì)于基于傳統(tǒng)鍺硅（SiGe)的傳感器技術(shù)，TI基于RFCMOS的雷達(dá)傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度，以實(shí)現(xiàn)高輸出功率、低功耗（比市面上現(xiàn)有解決方案...

2023-04-07 標(biāo)簽：SiGe API 雷達(dá)傳感器 1433 0

硅鍺技術(shù)增強(qiáng)無(wú)線電前端性能

本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對(duì)線性...

2023-02-24 標(biāo)簽：SiGe RF 無(wú)線電 1357 0

用于WCDMA應(yīng)用的MAX2322

MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優(yōu)化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應(yīng)用。它包括一個(gè)LNA、一個(gè)混頻器和一個(gè)可選頻率...

2023-02-23 標(biāo)簽：接收器 SiGe 混頻器 830 0

銅夾片提供高功率整流器

從封裝的角度來(lái)看，這些功率二極管一直使用傳統(tǒng)的功率器件封裝，例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是，為了提高系統(tǒng)效率，更好地將器件的熱...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管整流器 SiGe 691 0

SiGe整流器：熱穩(wěn)定效率

SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性于一身，讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計(jì)，從而達(dá)到更高的效率。該器件面向汽車、...

2023-02-09 標(biāo)簽：整流器 SiGe CFP 747 0

sige帖子

怎么實(shí)現(xiàn)8bit 800Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)？

標(biāo)簽：SiGe BiCMOS 1213 1

求一種12位25MS/s采樣保持電路設(shè)計(jì)方案

標(biāo)簽：SiGe 584 1

SiGe技術(shù)如何提高RFIC性能？

標(biāo)簽：SiGe LNA RFIC 2142 3

用Gummel-Poon模型提取SiGe HBT的VBIC模型

標(biāo)簽：SiGe 1664 0

sige資料下載

鍺化硅技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)和高頻特性的介紹立即下載

類別：電子資料 2020-09-09 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體示波器 2047 0

如何使用SiGe技術(shù)提高射頻集成電路的性能立即下載

類別：電子資料 2020-09-11 標(biāo)簽：IC SiGe LNA 623 0

石墨烯微波毫米波器件在國(guó)防航空領(lǐng)域有什么樣的應(yīng)用立即下載

類別：電子資料 2020-10-14 標(biāo)簽：SiGe 石墨烯毫米波 712 0

非接觸式射頻感應(yīng)IC卡進(jìn)行讀卡的原理詳細(xì)介紹立即下載

類別：電子資料 2020-10-30 標(biāo)簽：射頻 IC SiGe 657 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)TR模塊的基本芯片立即下載

類別：電子資料 2020-11-11 標(biāo)簽：芯片 SiGe MMIC 1135 0

SGA3563Z高性能MMIC放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 1140 0

SGA6589Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 1065 0

SGA789Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 1026 0

SGC2463Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 874 0

SGA5263Z高性能MMIC放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 822 0

sige資訊

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

文章來(lái)源：半導(dǎo)體與物理原文作者：jjfly686 本文簡(jiǎn)單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無(wú)等離子體刻蝕和原子層刻蝕。全環(huán)繞柵極晶體...

2024-12-17 標(biāo)簽：SiGe 刻蝕 92 0

Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

引言近年來(lái)，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

2023-12-28 標(biāo)簽：晶圓 SiGe 蝕刻 644 0

基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo)，針對(duì)應(yīng)用會(huì)在文末給大家一些方向性參考。雷達(dá)前端TRA?2...

2023-11-16 標(biāo)簽：芯片功率放大器振蕩器 1297 0

深入探討封裝基板

來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自「馭勢(shì)資本」，謝謝。半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測(cè)試...

2021-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiGe 9238 0

得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動(dòng)揚(yáng)聲器介紹

本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動(dòng)系列揚(yáng)聲器。 1 產(chǎn)品...

2021-10-11 標(biāo)簽：整流器 SiGe 揚(yáng)聲器 3347 0

關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來(lái)分析和介紹

在雷達(dá)應(yīng)用這塊，除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟，用于惡劣天氣，機(jī)場(chǎng)地面監(jiān)測(cè)等。同時(shí)最...

2019-09-06 標(biāo)簽：SiGe 分辨率晶體管 1.8萬(wàn) 0

格芯公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖

格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖，這些技術(shù)平臺(tái)旨在幫助客戶過(guò)渡到下一代5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應(yīng)用...

2018-05-03 標(biāo)簽：cmos sige 5g 1129 0

美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

2018-04-27 標(biāo)簽：sige wifi fe 1398 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報(bào)道，來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來(lái)經(jīng)過(guò)技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe 晶體管 FinFET 4133 0

格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）于今日宣布針對(duì)硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

2016-06-08 標(biāo)簽：SiGe 射頻芯片格羅方德 1653 0

sige數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào)	描述	參考價(jià)格
SE7351L-T	SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7351L-AK3	SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7265L-R	SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7265L-EK1	SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7262L-EK1	SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格

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工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
米爾科技

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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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OpenStack是一個(gè)開源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
馬云

馬云

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OMAPL138

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OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。

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