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標(biāo)簽 > cmos器件
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的縮寫。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來的芯片,是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。因?yàn)榭勺x寫的特性,所以在電腦主板上用來保存BIOS設(shè)置完電腦硬件參數(shù)后的數(shù)據(jù),這個(gè)芯片僅僅是用來存放數(shù)據(jù)的。
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在SPICE模擬器中應(yīng)該調(diào)諧優(yōu)化哪些模型參數(shù)?需要全部調(diào)優(yōu)嗎?
在SPICE模擬器中有幾十種標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件模型,例如,用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近200個(gè)模型參數(shù),而一個(gè)硅基的CMOS器件的BSIM...
1996 年,摩托羅拉設(shè)計(jì)出第一個(gè)基于硅工藝的集成功率放大電路,而目前一般采用的是 GaAs 和雙極工藝,其中應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的是 GaAs。功率...
什么是離子注入?離子注入相對(duì)于擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)?
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電,必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì),而離子注入是一種常用的方法,下面來具體介紹離子注入的概念。
CMOS器件的輸入信號(hào)上升時(shí)間為什么不能太長(zhǎng)?
CMOS器件的輸入信號(hào)上升時(shí)間或下降時(shí)間統(tǒng)稱為輸入轉(zhuǎn)換時(shí)間,輸入轉(zhuǎn)換時(shí)間過長(zhǎng)也稱為慢CMOS輸入。如果輸入信號(hào)上升時(shí)間過長(zhǎng),超過器件手冊(cè)允許的最大輸入轉(zhuǎn)...
本文介紹了CMOS器件輸入、輸出級(jí)電路所含CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理,從理論上分析了CMOS器件的靜態(tài)功耗是0。然后分析了實(shí)際CMOS器件靜態(tài)電...
ADC/DAC芯片pcf8591的linux驅(qū)動(dòng)的幾種實(shí)現(xiàn)方案
PCF8591 是一個(gè)單片集成、單獨(dú)供電、低功耗、8-bit CMOS數(shù)據(jù)獲取器件。PCF8591 具有 4 個(gè)模擬輸入、1 個(gè)模擬輸出和 1個(gè)串行 I...
阻抗匹配(Impedance Matching)主要用于傳輸線上,以此來達(dá)到所有高速、高頻信號(hào)均能傳遞至負(fù)載點(diǎn)的目的,而且?guī)缀醪粫?huì)有信號(hào)反射回來源點(diǎn),從...
2023-09-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器阻抗匹配TTL電路 5280 0
三維系統(tǒng)級(jí)封裝(3D-SiP)中的硅通孔技術(shù)研究
隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的不斷提高,傳統(tǒng)封裝技術(shù)已不能滿足多芯片、多器件的高性能互聯(lián)。
2023-09-07 標(biāo)簽:激光器MEMS技術(shù)CMOS器件 3971 0
cmos動(dòng)態(tài)功耗公式,cmos動(dòng)態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)
CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件,具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動(dòng)態(tài)功耗公式以...
2023-07-21 標(biāo)簽:電子器件CMOS技術(shù)CMOS器件 4147 0
簡(jiǎn)述i2c總線的工作原理 i2c通信過程 i2c通信協(xié)議原理
I2C是Inter-Intergrated Circuit的簡(jiǎn)稱,英文翻譯過來是:內(nèi)置集成電路。為什么I2C是內(nèi)置集成電路?
一種電阻前置于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的閂鎖加固設(shè)計(jì)
低成本、高性能體硅CMOS器件在航天應(yīng)用中存在著單粒子閂鎖(SEL)的風(fēng)險(xiǎn),專用宇航級(jí)抗SEL器件難以大量滿足當(dāng)前航天低成本、高性能、抗輻射需求。
2023-01-29 標(biāo)簽:DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器CMOS器件 549 0
MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
作者 IC_learner 在此特別鳴謝; 今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會(huì)聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示: ·M...
硅光電子集成電路與CMOS器件的集成有較大的市場(chǎng)需求
利用光互連可以有效地實(shí)現(xiàn)寬帶、高速和低功耗的數(shù)據(jù)通信,所以硅光電子集成電路與 CMOS 器件的集成具有較大的市場(chǎng)需求。
內(nèi)部電容瞬態(tài)耗散與負(fù)載電容耗散相似,不同之處在于內(nèi)部寄生“片上”電容正在充電和放電。圖3是與兩個(gè)CMOS反相器相關(guān)的寄生節(jié)點(diǎn)電容的示意圖。
本應(yīng)用筆記中的信息將重點(diǎn)介紹使用ULP系列時(shí)可節(jié)省的功率。它還將提供對(duì)設(shè)備性能,系統(tǒng)分析和設(shè)計(jì)比較的洞察力,但是重點(diǎn)將放在便攜式系統(tǒng)的功耗上。 隨著新型...
諸如ADI的ADSP-CM417F等器件有助于實(shí)現(xiàn)上述幾種解決方案。片內(nèi)RAM具有ECC和物理分隔,RAM由多個(gè)獨(dú)立的32k模塊組成,其包含兩個(gè)核心,可...
關(guān)于74HC14,它的定義是一個(gè)高速度的CMOS器件,特點(diǎn)是能對(duì)TTL器件引腳的完美兼容,74HC14集成電路內(nèi)部封裝了六個(gè)相同的帶施密特功能的反相器,...
我們或多或少知道,晶體管在數(shù)字電路中的主要作用就是一個(gè)電子開關(guān),通過電壓或者電流,控制這個(gè)“開關(guān)”開還是關(guān)。晶體管大概有兩種分類:一種是雙極性晶體管(B...
2018-07-30 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)cmos器件 8995 0
運(yùn)用兩種不同的納米尺度或原子尺度測(cè)量分析方法分析同一個(gè)樣品
APT是一個(gè)獨(dú)一無二的微電子測(cè)量分析方法,但是,當(dāng)測(cè)量由不同蒸發(fā)場(chǎng)區(qū)(例如,不同的化學(xué)成分和/或晶體結(jié)構(gòu))構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)時(shí),這種方法將會(huì)受到諸多限制。蒸...
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