CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場景介紹

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù)，...

2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 9627 0

納米拉曼光譜儀創(chuàng)新發(fā)展為可穿戴式光譜儀設(shè)備開啟眾多新應(yīng)用

拉曼光譜儀在小型化方面的創(chuàng)新發(fā)展，為便攜式、可穿戴式光譜儀設(shè)備開啟了眾多新應(yīng)用。

2023-12-04 標(biāo)簽：傳感器探測器光譜儀 874 0

背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管（SPAD）介紹

單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測單個光子并提供數(shù)字信號輸出。

2023-11-21 標(biāo)簽：探測器圖像傳感器雪崩二極管 2191 0

基于二極管橋的差分電容讀出電路分析

本文對基于二極管橋的差分電容讀出電路進(jìn)行了全面的理論分析?；诶碚撃Ｐ停o出了電路參數(shù)與讀出電路的幅頻和相頻響應(yīng)之間關(guān)系的數(shù)值模擬。

2023-10-17 標(biāo)簽：二極管差分電容跨阻放大器 1401 0

PCBA中的地彈是什么？如何減少PCB組裝中的地彈？

接地反彈是PCB組件中的噪聲源。重要的是要防止這種情況，因?yàn)樗鼤袛喔咚倩蚋哳l操作。接地反彈的主要原因是電路上不同點(diǎn)的接地電位差。

2023-09-28 標(biāo)簽：電容器晶體管PCB組裝 4393 0

微流控芯片+光學(xué)時域拉伸成像系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高通量細(xì)胞成像

成像流式細(xì)胞儀（IFC）是一種極為強(qiáng)大的工具，可應(yīng)用于微生物學(xué)、免疫學(xué)、病毒學(xué)、癌癥生物學(xué)、干細(xì)胞生物學(xué)和代謝工程等多個領(lǐng)域。

2023-09-19 標(biāo)簽：CCD微流控芯片CMOS技術(shù) 1296 0

芯片集成的低溫生長2D PdTe2狄拉克半金屬實(shí)現(xiàn)非制冷中紅外傳感

非制冷中紅外(MIR)光探測和成像由于其在天文學(xué)、量子信息、光學(xué)雷達(dá)、醫(yī)學(xué)診斷和工業(yè)檢測等廣泛應(yīng)用而引起了人們的極大興趣。

2023-08-29 標(biāo)簽：紅外傳感器TEM光電探測器 630 0

新型超構(gòu)表面成像光譜芯片研究進(jìn)展

光譜成像具有良好的多維信息獲取能力，廣泛應(yīng)用在食品安全、醫(yī)學(xué)診斷、環(huán)境監(jiān)測、偽裝識別及軍事遙感等領(lǐng)域。

2023-08-16 標(biāo)簽：傳感器濾波器光譜儀 991 0

偏振集成紅外光電探測器研究進(jìn)展與應(yīng)用

偏振集成探測器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊，并且無需圖像配準(zhǔn)對動態(tài)目標(biāo)同時同地同源探測與識別的優(yōu)勢。

2023-08-15 標(biāo)簽：探測器紅外傳感器光刻機(jī) 2300 0

如何利用55 nm BCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能SPAD呢？

單光子雪崩二極管（SPAD）是各類應(yīng)用需求量很大的器件，特別是在生物醫(yī)學(xué)實(shí)踐方面。

2023-08-14 標(biāo)簽：探測器仿真器雪崩二極管 845 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價格高昂、工藝復(fù)雜，嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 981 0

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution,...

2023-07-22 標(biāo)簽：控制器STM32CMOS技術(shù) 2051 0

cmos動態(tài)功耗公式，cmos動態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動態(tài)功耗公式以...

2023-07-21 標(biāo)簽：電子器件CMOS技術(shù)CMOS器件 4151 0

寄存器的時序要求有哪些？

對于下面這個傳輸門來說，只有當(dāng)CLK為高電平，即傳輸門打開時，輸入端I的電平才會被傳輸?shù)捷敵龆薕，這是一個正常的傳輸過程。

2023-07-13 標(biāo)簽：寄存器變換器VDD 1626 0

寄存器門電路原理分析

當(dāng)前行業(yè)內(nèi)CMOS寄存器電路設(shè)計往往采用主從鎖存器設(shè)計的結(jié)構(gòu)，這與傳統(tǒng)“數(shù)字電路設(shè)計”課程上學(xué)到的D觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)基本一致，而鎖存器部分，則采用了傳輸門...

2023-07-13 標(biāo)簽：寄存器SoC設(shè)計鎖存器 2925 0

數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：CMOS技術(shù)場效晶體管FinFET技術(shù) 1258 0

科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶體管NPN晶體管FinFET 7418 0

低噪聲放大器的寬帶匹配技術(shù)介紹

低噪聲放大器（LNA）在多種接收機(jī)結(jié)構(gòu)中都作為接收機(jī)第一級有源器件，承擔(dān)接收機(jī)的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時提高了輸入信號的功率，并將信號...

2023-07-06 標(biāo)簽：接收機(jī)MOS管混頻器 4941 0

ADC模擬電路皇冠上的明珠（2）

隨著無線通信向高速、寬帶方向發(fā)展，對于無線信號接收機(jī)提出了越來越高的要求。

2023-07-03 標(biāo)簽：接收機(jī)無線通信寄生電容 1098 0