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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注40人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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      dram資訊

      SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

      SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

      ? ? 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。 ? ...

      2024-12-21 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 129 0

      南亞科技與補丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

      近日，臺灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設(shè)計公司補丁科技達成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...

      2024-12-20 標(biāo)簽：DRAM帶寬內(nèi)存 82 0

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      2024-12-14 標(biāo)簽：集成電路DRAMICCAD 613 0

      iPhone的DRAM封裝，有變！

      來源： thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱，這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...

      2024-12-09 標(biāo)簽：DRAMiPhone封裝 108 0

      SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

      據(jù) Businesses Korea 報道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

      2024-12-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 214 0

      2024年第三季度全球DRAM市場營收環(huán)比增長13.6%

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      2024-12-03 標(biāo)簽：DRAMSK海力士三星 245 0

      華邦電子成功舉辦三場聯(lián)合技術(shù)論壇

      上周，華邦電子在滬深兩地舉辦了三場聯(lián)合技術(shù)論壇，每場活動座無虛席，技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車電子、工業(yè)應(yīng)用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計算機，再到消費電子...

      2024-11-27 標(biāo)簽：FPGADRAM汽車電子 404 0

      AI時代核心存力HBM(中)

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      HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)（TSV）和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔：TSV（Through-Silicon Via） 是...

      2024-11-16 標(biāo)簽：芯片DRAMHBM 314 0

      三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整：將同時生產(chǎn)DRAM和NAND Flash

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      2024-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM三星電子 260 0

      北京君正預(yù)計年底推出21nm DRAM產(chǎn)品

      近日，在接受機構(gòu)調(diào)研時，北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進展。據(jù)公司介紹，目前各類DRAM產(chǎn)品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研發(fā)...

      2024-11-12 標(biāo)簽：DRAM微處理器北京君正 553 0

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      存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓

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      2024-10-23 標(biāo)簽：芯片DRAM三星電子 534 0

      三星推出業(yè)界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片

      三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得...

      2024-10-22 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存三星 696 0

      三星或重新設(shè)計1a DRAM以提升HBM質(zhì)量

      　三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，...

      2024-10-22 標(biāo)簽：DRAM三星電子HBM 377 0

      三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM

      近日，存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平，更在速度上實現(xiàn)了...

      2024-10-18 標(biāo)簽：DRAM三星電子存儲芯片 800 0

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        貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計工程師和采購人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
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        寒武紀(jì)
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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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        +關(guān)注
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