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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢(shì),深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員,...
2024-12-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETGaN 316 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 1382 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 623 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個(gè)終端市場(chǎng)...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動(dòng)保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...
針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 806 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1496 0
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)!
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2023-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管FET 691 0
MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器,適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。
2023-11-22 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器FET 1700 0
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極?場(chǎng)效應(yīng)管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極?場(chǎng)效應(yīng)管可以算是三極管嗎? 場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管FET 2689 0
如何簡(jiǎn)單判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞?
如何簡(jiǎn)單判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞? 場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判...
2023-11-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET 1469 0
跨界生物電子學(xué)的蠶絲納米界面實(shí)現(xiàn)高靈敏有機(jī)電子傳感器
呼吸可以揭示我們的健康狀況。人體呼出氣體中的微小分子,能夠?yàn)榉尾考膊?、糖尿病等很多疾病提供有用的線索。
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計(jì)算?電路效率如何計(jì)算?
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計(jì)算?電路效率如何計(jì)算? Buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱計(jì)算與電路效率計(jì)算 隨著電子產(chǎn)品的逐步普及,人們對(duì)于其性能的要求越...
2023-10-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETbuck電路 1612 0
為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的? Vgs電壓,也就是場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的柵源電壓,在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過程中,柵電極...
2023-09-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET 3629 0
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理
可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見的器件,它們?cè)诓煌膽?yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SC...
2023-09-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管可控硅SCR 1701 0
晶閘管和場(chǎng)效應(yīng)管的主要區(qū)別
晶閘管和場(chǎng)效應(yīng)管的主要區(qū)別 晶閘管(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子元件中最為常見的兩種半導(dǎo)體器件。SCR是一種雙極型半導(dǎo)體器件,傳統(tǒng)應(yīng)用在直流電路的...
2023-08-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管SCR 1687 0
Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝,也就是之前的7nm,但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4n...
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