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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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電壓控制的場效應(yīng)晶體管(FET),主要用于放大弱信號(hào),主要是無線信號(hào),放大模擬和數(shù)字信號(hào)。 場效應(yīng)晶體管(FET)是一種使用電場效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管電壓控制 3.6萬 0
三極管 全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。...
現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。 由于用處不同;每個(gè)廠家都對(duì)...
2010-12-14 標(biāo)簽:FET 6854 0
基于MOS場效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)
大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著...
2020-04-07 標(biāo)簽:放大器FETMOS場效應(yīng)管 6710 0
怎樣使用瞬態(tài)輕觸開關(guān)來打開或關(guān)閉大的高壓大電流設(shè)備
恭喜,您完成了!您可以將此新電路與繼電器一起使用,以使用非常小的開關(guān)來控制高壓大電流負(fù)載!每次按下開關(guān),電路都會(huì)改變狀態(tài)。一次按一下即可打開所有內(nèi)容,然...
2019-11-23 標(biāo)簽:FETPNP晶體管按鈕開關(guān) 5299 0
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12...
FET的主要參數(shù) FET的特點(diǎn)與雙極型晶體三極管相比,場效應(yīng)
2009-09-16 標(biāo)簽:FET 4496 0
為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的? Vgs電壓,也就是場效應(yīng)管(FET)的柵源電壓,在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過程中,柵電極...
2023-09-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET 3629 0
在 2019 年,Qorvo 宣布收購高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.(簡稱:CK)。 ...
功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個(gè)趨勢發(fā)展,而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板,很難有大幅提升的空間,因此基于...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電流環(huán)路,自20世紀(jì)50年代開始,就已經(jīng)成為過程控制系統(tǒng)中信號(hào)傳輸和電子控制的標(biāo)準(zhǔn)。很多電流環(huán)路的電源是通過LDO來提供的...
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種使用電場效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管FET 2690 0
ADI推出模擬前端ADA4350,在單個(gè)封裝中集成FET輸入放大器
Analog Devices, Inc. (ADI)推出集成ADC驅(qū)動(dòng)器的FET輸入AFE(模擬前端)ADA4350,用于與電流模式傳感器(如光電二極...
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
汽車和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么
我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠囆袠I(yè),消費(fèi)者越來越需要充電更快、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車輛。
2020年12月,由日本工業(yè)技術(shù)研究院(AIST)和中國臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 2161 0
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
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