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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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今天我們來介紹結(jié)型場效應(yīng)管,它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先,讓我們簡單說說結(jié)型場效應(yīng)管的屬性,它屬于單極型晶體管,跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬...
2022-09-13 標(biāo)簽:結(jié)型場效應(yīng)管FET 1664 0
長期以來,在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項目有空間放置大型的散熱器時,從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...
碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術(shù)發(fā)展
甲碳化硅(SiC) JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型,它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS(ON)的每單位面積和是一個強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...
最大限度地減少SiC FET中的EMI和開關(guān)損耗
SiC FET 速度極快,邊緣速率為 50 V/ns 或更高,這對于最大限度地減少開關(guān)損耗非常有用,但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會...
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...
寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來,WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...
電壓控制的場效應(yīng)晶體管(FET),主要用于放大弱信號,主要是無線信號,放大模擬和數(shù)字信號。 場效應(yīng)晶體管(FET)是一種使用電場效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管電壓控制 3.6萬 0
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12...
淺析電子系統(tǒng)的浪涌管理和系統(tǒng)保護(hù)
Other Parts Discussed in Post: TPS3700作者:John Cummings? 德州儀器 ? 今天,防止電子產(chǎn)品出現(xiàn)...
2021-11-21 標(biāo)簽:電流電源管理電子系統(tǒng) 1516 0
在 2019 年,Qorvo 宣布收購高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.(簡稱:CK)。 ...
功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個趨勢發(fā)展,而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板,很難有大幅提升的空間,因此基于...
三極管 全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關(guān)。...
2020年12月,由日本工業(yè)技術(shù)研究院(AIST)和中國臺灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/...
汽車和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么
我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠囆袠I(yè),消費(fèi)者越來越需要充電更快、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車輛。
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。
基于MOS場效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計
大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著...
2020-04-07 標(biāo)簽:放大器FETMOS場效應(yīng)管 6710 0
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標(biāo)準(zhǔn)硬開關(guān)等領(lǐng)域。
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
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