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標(biāo)簽 > GaN

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gan技術(shù)

深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?

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/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄...

2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開關(guān)電源SiC 547 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題

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人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長,進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...

2024-12-18 標(biāo)簽:德州儀器ti適配器 381 0

廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案

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廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺(tái),集成...

2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 848 0

45W電源芯片U8765的高壓?jiǎn)?dòng)功能

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高壓?jiǎn)?dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式,通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào),使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓?jiǎn)?dòng)...

2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路GaN電源芯片 106 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些?

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些?

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個(gè)方面: 一、晶圓片制備優(yōu)化 多次減薄處理: 采用不同材料的漿液和磨盤對(duì)石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理,可...

2024-12-06 標(biāo)簽:GaN石英玻璃碳化硅 261 0

GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標(biāo)簽:SiCGaN可靠性測(cè)試 230 0

氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景

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氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...

2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 518 0

#參考設(shè)計(jì)#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源(使用InnoMux2-EP(1700V PowiGaN))

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60 W反激式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的CV輸出,使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP(IMX2353F-H415),用于具有高...

2024-11-19 標(biāo)簽:反激式電源GaN工業(yè)電源 950 0

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

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GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...

2024-11-15 標(biāo)簽:安森美功率器件GaN 189 0

納芯微提供全場(chǎng)景GaN驅(qū)動(dòng)IC解決方案

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作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...

2024-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)ICGaN 321 0

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類別:電子資料 2024-09-12 標(biāo)簽:GaN 112 0

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gan資訊

安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢(shì),深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員,...

2024-12-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETGaN 313 0

南芯科技榮獲功率器件GaN行業(yè)卓越獎(jiǎng)

近日,南芯科技(證券代碼:688484)重磅產(chǎn)品 POWERQUARK 憑借在氮化鎵快充領(lǐng)域的技術(shù)突破,于世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選中榮...

2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件GaN南芯科技 206 0

芯導(dǎo)科技榮膺中國GaN器件十強(qiáng)企業(yè)獎(jiǎng)

近日,“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂而來,共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新風(fēng)采、新進(jìn)步。

2024-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN芯導(dǎo)科技 561 0

羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

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12 月 12 日消息,日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴...

2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電功率器件氮化鎵 734 0

羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用

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近日,有報(bào)道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局...

2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN功率半導(dǎo)體 235 0

深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?

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2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開關(guān)電源SiC 547 0

納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇

近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專業(yè)工程師匯聚一堂,共同交流電源技術(shù)最新研究...

2024-12-10 標(biāo)簽:電源技術(shù)功率器件GaN 321 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 378 0

一文看懂2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)展望

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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正在經(jīng)歷庫存調(diào)整,幾乎涵蓋了從消費(fèi)到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場(chǎng)。然而,在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體正大放異彩,同...

2024-11-22 標(biāo)簽:SiC人工智能GaN 960 0

SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)

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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特性,使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用,特別是在DC/DC轉(zhuǎn)...

2024-11-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 496 0

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gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
GS61008P-MR 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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  • 藍(lán)牙4.2
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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