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標(biāo)簽 > hbm3e

hbm3e

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HBM(High Bandwidth Memory,HBM) 性能強(qiáng)大成為 AI/ML 和其他高性能計(jì)算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出,是最新一代的高帶寬內(nèi)存;我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

文章:78 瀏覽:248 帖子:0

hbm3e資訊

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預(yù)測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會在2...

2023-11-27 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 940 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAMNANDHBM 1054 0

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

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NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...

2023-11-15 標(biāo)簽:NVIDIAgpu堆疊 960 0

英偉達(dá)發(fā)布新一代H200,搭載HBM3e,推理速度是H100兩倍!

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)日前,英偉達(dá)正式宣布,在目前最強(qiáng)AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級,發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

2023-11-15 標(biāo)簽:英偉達(dá)HBM3HBM3E 3610 0

追趕SK海力士,三星、美光搶進(jìn)HBM3E

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看,HBM歷經(jīng)HBM1...

2023-10-25 標(biāo)簽:美光三星HBM3 3066 0

三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的,這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基,接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上,都...

2023-10-23 標(biāo)簽:內(nèi)存晶體管EUV 618 0

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

? ? 據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

2023-10-10 標(biāo)簽:DRAMERPHBM 836 0

SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽:DRAM人工智能SK海力士 667 0

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時,SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(B...

2023-08-23 標(biāo)簽:DRAM散熱性能SK海力士 814 0

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。

2023-08-22 標(biāo)簽:AI超級芯片SK海力士 981 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽:芯片DRAM英偉達(dá) 1026 0

今日看點(diǎn)丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

1. 狠砸1 億英鎊!英國首相蘇納克計(jì)劃購入數(shù)千顆AI 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,英國首相蘇納克(Rishi Sunak)將花費(fèi)1億英鎊,用于購買數(shù)千顆高性能人...

2023-08-21 標(biāo)簽:蘋果SK海力士HBM3 770 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),...

2023-08-21 標(biāo)簽:存儲器SK海力士HBM 975 0

存儲技術(shù)進(jìn)入爆發(fā)期,SK海力士321層NAND,HBM3e,LPDDR5T紛至沓來

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)我們?nèi)缃裾幱谛畔r代,而存儲作為信息的載體,對當(dāng)今技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。通常存儲芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器,用...

2023-08-14 標(biāo)簽:存儲SK海力士LPDDR 2364 1

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時代打造

2023年8月8日,NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級...

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黃仁勛甩出最強(qiáng)生成式AI處理器,全球首發(fā)HBM3e,比H100還快

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在隨后大約1小時20分鐘的演講中,黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和...

2023-08-09 標(biāo)簽:處理器NVIDIAAI 899 0

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  • 無人駕駛
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    提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢,中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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