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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

全球IGBT企業(yè)TOP 55

全球IGBT企業(yè)TOP 55

中國IGBT發(fā)展的這20年,誕生了許多優(yōu)秀的企業(yè)。除了比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)和中車時(shí)代電氣,還有擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線的華潤微;全球...

2024-06-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT集成電路芯片 1881 0

陶瓷燒結(jié)厚膜電路:高功率IGBT、高頻、堅(jiān)固耐用

陶瓷燒結(jié)厚膜電路:高功率IGBT、高頻、堅(jiān)固耐用

厚膜工藝通常涉及金屬和介電漿料的絲網(wǎng)印刷。這種制造方法可以以經(jīng)濟(jì)的價(jià)格提供高質(zhì)量的結(jié)果。

2024-06-17 標(biāo)簽:IGBT陶瓷燒結(jié) 279 0

安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊, 助力可再生能源應(yīng)用簡化設(shè)計(jì)并降低成本

安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊, 助力可再生能源應(yīng)用簡化設(shè)計(jì)并降低成本

在相同的外形尺寸和熱閾值下,QDual3模塊能提供高出10%的功率 ? 2024 年6月12日-- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè) 安森美(onsem...

2024-06-14 標(biāo)簽:安森美IGBT 777 0

上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實(shí)現(xiàn)單機(jī)2MW儲(chǔ)能變流器

上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實(shí)現(xiàn)單機(jī)2MW儲(chǔ)能變流器

英飛凌的TRENCHSTOPIGBT7,作為新一代IGBT技術(shù)的璀璨明珠,是大功率儲(chǔ)能變流器PCS技術(shù)升級(jí)的推動(dòng)力,它進(jìn)一步提高了逆變器效率和功率密度。...

2024-06-14 標(biāo)簽:英飛凌IGBT變流器 1219 0

安森美發(fā)布高功率密度IGBT模塊,助力能源系統(tǒng)優(yōu)化

在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國納斯達(dá)克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDua...

2024-06-12 標(biāo)簽:安森美IGBT功率模塊 999 0

安森美發(fā)布第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊

近日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),最新發(fā)布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IG...

2024-06-12 標(biāo)簽:安森美IGBT功率模塊 659 0

牽引逆變器需求開始回暖,性能持續(xù)提升推動(dòng)電氣化進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))近日,TrendForce發(fā)布了最新的全球電動(dòng)車逆變器市場數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)顯示,因受電動(dòng)車傳統(tǒng)淡季影響,2024年第一季全球牽引...

2024-06-08 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC 8617 0

極海推出首款GHD3440電機(jī)專用柵極驅(qū)動(dòng)器

極海推出首款GHD3440電機(jī)專用柵極驅(qū)動(dòng)器

? 柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。隨著各種智能電子設(shè)備的不斷普及和應(yīng)用,...

2024-06-07 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6萬 0

測(cè)量IGBT的門級(jí)可以用低壓探頭嗎?

測(cè)量IGBT的門級(jí)可以用低壓探頭嗎?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種集成了MOSFET和雙極型晶體管特性的功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際的工程應(yīng)...

2024-06-06 標(biāo)簽:IGBT低壓探頭 325 0

英飛凌攜手上能電氣,共繪儲(chǔ)能新篇章

英飛凌攜手上能電氣,共繪儲(chǔ)能新篇章

2024年6月,中國上海訊——近日,英飛凌宣布與上能電氣股份有限公司達(dá)成合作,為上能電氣提供業(yè)界領(lǐng)先的1200VEconoDUAL3功率模塊,用于2MW...

2024-06-06 標(biāo)簽:英飛凌電氣IGBT 787 0

國產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國際市場

國產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國際市場

前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個(gè)國家和地區(qū)科研機(jī)構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地?cái)U(kuò)張產(chǎn)能,測(cè)...

2024-06-05 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC 549 0

聚焦功率半導(dǎo)體測(cè)試 | 普賽斯儀表多款測(cè)試新品亮相中國光谷九峰山論壇

聚焦功率半導(dǎo)體測(cè)試 | 普賽斯儀表多款測(cè)試新品亮相中國光谷九峰山論壇

“聚勢(shì)賦能共赴未來”,2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動(dòng)作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...

2024-06-05 標(biāo)簽:IGBTSiCGaN 601 0

攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎(jiǎng)”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)

攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎(jiǎng)”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)

全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時(shí)代,功率半導(dǎo)體成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...

2024-06-05 標(biāo)簽:可控硅IGBTGaN 711 0

捷捷微電與晶能微電子深化合作,共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章

近日,捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司(簡稱“晶能”)在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標(biāo)志著雙方在工控IGBT領(lǐng)域的合作將進(jìn)一步加...

2024-06-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT捷捷微電 1002 0

可降低功耗的內(nèi)置SiC二極管的IGBT

可降低功耗的內(nèi)置SiC二極管的IGBT

在現(xiàn)代社會(huì),工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...

2024-06-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC 1620 0

基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)

基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)

傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對(duì)開關(guān)損耗是很大的拖累。

2024-05-30 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管碳化硅 1.4萬 0

200億,這里崛起一個(gè)半導(dǎo)體超級(jí)獨(dú)角獸

來源:投資界 近日,株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司(簡稱“中車時(shí)代半導(dǎo)體”)宣布增資引入26位戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái),金額為人民幣 43.278億元。 據(jù)...

2024-05-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 471 0

東芝12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠完工,產(chǎn)能預(yù)計(jì)提升2.5倍

東芝透露,目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝,旨在確保在2024財(cái)年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn),東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將達(dá)到...

2024-05-27 標(biāo)簽:東芝IGBT功率半導(dǎo)體 614 0

安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱:三福半導(dǎo)體)成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的揭牌儀式。

2024-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 592 0

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)M...

2024-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 796 0

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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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