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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
mos管開關(guān)電路圖大全（八款mos管開關(guān)電路設(shè)計原理圖詳解）
本文主要介紹了mos管開關(guān)電路圖大全（八款mos管開關(guān)電路設(shè)計原理圖詳解）。功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閥值電...
2018-03-06 標(biāo)簽：開關(guān)電路mos管 36.8萬 3
什么是MOS管?MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解(應(yīng)用_優(yōu)勢_三個極代表)
本文首先介紹了mos管的概念與mos管優(yōu)勢，其次介紹了MOS管結(jié)構(gòu)原理圖及mos管的三個極判定方法，最后介紹了MOS管（場效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域及它的降壓電路。
2018-05-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管 19.6萬 1
mos管工作原理：它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工...
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要。可以在MOS管關(guān)斷時為感性負(fù)載的...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 14.9萬 2
H橋是一個典型的直流電機控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡略示...
本文介紹了萬用表如何判斷mos管好壞，mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...
2018-01-12 標(biāo)簽：萬用表mos管場效應(yīng)晶體管 13.2萬 0
詳細(xì)講解一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計原理和結(jié)構(gòu)
在IC內(nèi)部，如何來設(shè)置每一個晶體管的工作狀態(tài)，就是通過偏置電流，恒流源電路可以說是所有電路的基石，帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的，然后通過電流鏡來為每一個功能模...
G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。
學(xué)習(xí)并理解LLC：LLC電路是如何實現(xiàn)軟開關(guān)的？
與電阻不同，電感和電容都不是純阻性線性器件，電感的感抗XL和電容的容抗Xc都與頻率有關(guān)，當(dāng)加在電感和電容上的頻率發(fā)生變化時，它們的感抗XL和容抗Xc會發(fā)生變化。
本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性...
2018-04-03 標(biāo)簽：mos管 10.8萬 0
MOS管的工作原理是什么？MOS管與結(jié)型場效應(yīng)管有什么區(qū)別？立即下載
類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-09-04 標(biāo)簽：二極管MOS管結(jié)型場效應(yīng)管
類別：IC datasheet pdf 2013-05-02 標(biāo)簽：mos管IR2104
類別：電源技術(shù) 2014-09-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管DC/DC轉(zhuǎn)換器
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體...
mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個區(qū)域解析
轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2021-06-15 標(biāo)簽：MOS管 8.4萬 0
MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動大功率的負(fù)載時，發(fā)熱量就會小很多。MOS管的驅(qū)動與三極管有一個比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動型的元件...
顯卡上的電子元件就像汽車中的各種零件一樣，其好壞對整體的穩(wěn)定和壽命有直接影響。比較顯眼的部件有電容、電感、MOS和供電芯片，這些容易看懂，好理解。
電路設(shè)計中，會有各種各樣的電源符號，經(jīng)常會把人繞暈，今天整理了27個，分享給大家。
mos管開關(guān)電路_pwm驅(qū)動mos管開關(guān)電路圖分享
MOS管開關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路...
2018-01-04 標(biāo)簽：開關(guān)電路mos管 5.9萬 0
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路等幾個
而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅(qū)動，其驅(qū)動電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通，不同型號的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的，一般為3...
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