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標(biāo)簽 > nexperia
Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia全球最小的SD卡電平轉(zhuǎn)換器將管腳尺寸減小40%
符合SD 3.0標(biāo)準(zhǔn)要求的電平轉(zhuǎn)換器,集成了自動方向控制、EMI濾波器和IEC 61000-4-2 ESD保護(hù)特性。
2022-02-15 標(biāo)簽:醫(yī)療器械電平轉(zhuǎn)換器SD卡 2052 0
Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典,未來將繼續(xù)大展宏圖
Nexperia(安世半導(dǎo)體)今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌,但憑借過去幾十年在半導(dǎo)...
2022-02-09 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體制造Nexperia 2064 0
Nexperia的50μA齊納二極管產(chǎn)品組合可延長電池續(xù)航時間,節(jié)省PCB空間
Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項,采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封...
Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管,可提供高精度基準(zhǔn)電壓,擁有業(yè)內(nèi)極低的±1%容差
Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用,提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓。
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列,繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。
Nexperia面向USB4標(biāo)準(zhǔn)接口推出極低鉗位的雙向ESD保護(hù)器件
TrEOS二極管為更強(qiáng)勁的USB4TM數(shù)據(jù)傳輸提供行業(yè)領(lǐng)先的插入損耗和回波損耗特性。
Nexperia表面貼裝器件通過汽車應(yīng)用的板級可靠性要求
BLR是一種評估半導(dǎo)體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴(yán)格的程序,在十分注重安全性和可靠性的汽車應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。
2021-09-10 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體器件Nexperia 1160 0
Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性
MJD系列現(xiàn)已上市,涵蓋2 – 8 A和45 – 100 V,且增強(qiáng)了Nexperia的功率產(chǎn)品組合。
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport
這家威爾士半導(dǎo)體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導(dǎo)體等車規(guī)級產(chǎn)品的生產(chǎn)
2021-07-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件Nexperia 693 0
Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝
封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm(14 引腳)、2 mm x 2.4 mm(16引腳)、2 mm x 3.2 mm(20引腳)和2 mm x 4 mm...
2021-06-30 標(biāo)簽:pcb收發(fā)器電源轉(zhuǎn)換 1485 0
Nexperia新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布了全球增長戰(zhàn)略最新舉措,即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴(kuò)建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠...
2021-06-18 標(biāo)簽:電源管理IC功率半導(dǎo)體Nexperia 578 0
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器Nexperia 974 0
Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率
Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關(guān)速度,既能減少整流器的開關(guān)損耗,又減少了同一換向單元中MOSFET產(chǎn)生的損耗(此種配置通常用于異步開關(guān)模式功率...
2021-05-10 標(biāo)簽:MOSFET肖特基整流器半導(dǎo)體器件 1225 0
Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件
全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用TrEOS技術(shù)的高性能4通道ESD保護(hù)器件。極低的每通道線路電容(低至0.25 pF)和低于0.05 pF...
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
不斷增加的汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0以及基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境,都將推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
2021-02-19 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體Nexperia 844 0
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 2670 0
索尼Xperia與穿越火線合作 Xperia 5 II為官方比賽用機(jī)
2月2日消息,今日,索尼Xperia官方通過微博宣布,索尼正式成為2021穿越火線:槍戰(zhàn)王者職業(yè)聯(lián)賽首席合作伙伴,同時,索尼Xperia 5 II也成為...
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