氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的...

2024-06-18 標簽：半導(dǎo)體SiC電力器件 585 0

并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

功率器件(如開關(guān)、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔(dān)功率，使設(shè)備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響...

2024-06-03 標簽：電流MOSFETSiC 796 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標簽：功率器件SiC碳化硅 721 0

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

2024-05-29 標簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1268 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 892 0

SiC MOSFET實現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析

在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中，工頻變壓器是實現(xiàn)電能分配和電壓等級變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...

2024-05-17 標簽：變壓器MOSFETSiC 2082 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

2024-05-16 標簽：英飛凌MOSFET功率器件 613 0

使用Simcenter全面評估SiC 器件的特性——Simcenter為熱瞬態(tài)測試和功率循環(huán)提供全面支持

內(nèi)容摘要傳統(tǒng)的硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有成熟的技術(shù)和低廉的成本，在中壓和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)高壓功率電子器件中占主導(dǎo)...

2024-05-07 標簽：測試半導(dǎo)體SiC 713 0

仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度

作者：James Victory，安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員 在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器...

2024-04-30 標簽：仿真SiC模型 1767 0

碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望

隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預(yù)計，將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這...

2024-04-30 標簽：電動汽車功率器件SiC 1226 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽：功率器件SiCGaN 1201 0

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關(guān)狀態(tài)，掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

2024-04-29 標簽：MOSFETIGBTemc 1039 0

用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓撲的SiC MOSFET

效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品，節(jié)約能源成本，更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面，功率...

2024-04-29 標簽：三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2340 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標簽：電動汽車功率器件SiC 688 0

一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動方法

SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢，系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不...

2024-04-28 標簽：MOSFET驅(qū)動SiC 395 0

嵌入式PCB封裝

不同的熱膨脹系數(shù) （CTE） 會產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致故障。嵌入到 AlN（周圍有銅層）等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配，同時還可以創(chuàng)建所需的隔...

2024-05-03 標簽：嵌入式逆變器SiC 693 0

了解嵌入式驅(qū)動器中的電源模塊

在 IP65 保護系統(tǒng)中，所有組件的耗散功率只能通過其表面（主要是散熱器）排出。因此，嵌入式系統(tǒng)中使用的逆變器的設(shè)計必須限度地減少功耗，并使用良好的熱界...

2024-05-03 標簽：嵌入式系統(tǒng)逆變器SiC 310 0